Снимките са само с информационна цел. Вижте спецификацията на продукта

please use latin characters

Производител: GeneSiC Semiconductor

SiC MOSFET транзистор G3R350MT12D

  • G3R350MT12D
  • Тип жилище TO-247-3
  • Постоянен ток ID при Tc=25oC 10 A
  • Постоянен ток IC at Tc=100oC
  • RDS(ON) за VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) за VGS = 15 V 350 mΩ
  • Напрежение UDS 1200 V

The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding

Изпратете запитване

Интересувате ли се от този продукт? Имате ли нужда от допълнителна информация или индивидуални цени?

Свържете се с нас
ПОИСКАЙТЕ ПРОДУКТА close
Съобщението е изпратено успешно.
ПОИСКАЙТЕ ПРОДУКТА close
Преглед

Добави към списъка с желания

Трябва да сте влезли

  • Тип жилище TO-247-3
  • Постоянен ток ID при Tc=25oC 10 A
  • Постоянен ток IC at Tc=100oC
  • RDS(ON) за VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) за VGS = 15 V 350 mΩ
  • Напрежение UDS 1200 V

The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding