G2R1000MT33J MOSFET SIC.
  • G2R1000MT33J MOSFET SIC.

Снимките са само с информационна цел. Вижте спецификацията на продукта

please use latin characters

Производител: GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT33J MOSFET SIC.

  • G2R1000MT33J
  • Вид корпус TO-263-7
  • Постоянен ток ID при Tc=25oC 5 A
  • Постоянен ток ID при Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) за VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) за VGS = 15 V -
  • Напрежение UDS 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
По-малко
Прочетете още
54,70 PLN
54,70 PLN Брутна цена / бр.
44,47 PLN Нетна цена / бр.
С вкл. данък

Наличност: Моля, обърнете внимание, че този продукт не е на склад

Можете да направите предварителна поръчка, да отчетете интерес към даден продукт, като кликнете върху бутона „Попитайте за наличност“.

Няма в наличност
ПОИСКАЙТЕ ПРОДУКТА close
Благодарим ви, че изпратихте съобщението си. Ние ще отговорим възможно най-скоро.
ПОИСКАЙТЕ ПРОДУКТА close
Преглед
изпратете запитване

Добави към списъка с желания

Трябва да сте влезли

  • Вид корпус TO-263-7
  • Постоянен ток ID при Tc=25oC 5 A
  • Постоянен ток ID при Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) за VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) за VGS = 15 V -
  • Напрежение UDS 3300 V

The "G2R1000MT33J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
По-малко
Прочетете още

Статии

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Публикувано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментари (0)