![G3R350MT12D MOSFET SiC G3R350MT12D MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6172-large_default/mosfet-sic_G3R350MT12D_GENESIC-SEMICONDUCTOR.jpg)
![G3R350MT12D MOSFET SiC G3R350MT12D MOSFET SiC](https://www.dacpol.eu/6172-large_default/mosfet-sic_G3R350MT12D_GENESIC-SEMICONDUCTOR.jpg)
Трябва да сте влезли в
Снимките са само с информационна цел. Вижте спецификацията на продукта
please use latin characters
The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications:
Наличност: Моля, обърнете внимание, че този продукт не е на склад
Можете да направите предварителна поръчка, да отчетете интерес към даден продукт, като кликнете върху бутона „Попитайте за наличност“.
Трябва да сте влезли
The "G3R350MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.
Features:
Applications: