G3R40MT12D MOSFET SIC.
  • G3R40MT12D MOSFET SIC.

Снимките са само с информационна цел. Вижте спецификацията на продукта

please use latin characters

Производител: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SIC.

  • G3R40MT12D
  • Вид корпус TO-247-3
  • Постоянен ток ID при Tc=25oC 63 A
  • Постоянен ток ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) за VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) за VGS = 15 V 40 mΩ
  • Напрежение UDS 1200 V
Нов

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
По-малко
Прочетете още
61,50 PLN
61,50 PLN Брутна цена / бр.
50,00 PLN Нетна цена / бр.
С вкл. данък

Наличност: Моля, обърнете внимание, че този продукт не е на склад

Можете да направите предварителна поръчка, да отчетете интерес към даден продукт, като кликнете върху бутона „Попитайте за наличност“.

Обемни отстъпки

Количество Unit discount Спестявате
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1033,20 PLN
Няма в наличност
ПОИСКАЙТЕ ПРОДУКТА close
Благодарим ви, че изпратихте съобщението си. Ние ще отговорим възможно най-скоро.
ПОИСКАЙТЕ ПРОДУКТА close
Преглед
изпратете запитване

Добави към списъка с желания

Трябва да сте влезли

  • Вид корпус TO-247-3
  • Постоянен ток ID при Tc=25oC 63 A
  • Постоянен ток ID при Tc=100oC 44 A
  • RDS(ON) за VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) за VGS = 15 V 40 mΩ
  • Напрежение UDS 1200 V
Нов

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
По-малко
Прочетете още

Статии

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Публикувано в: Новини, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Коментари (0)