Транзистори | GeneSiC

SiC MOSFET транзистори на GeneSiC осигуряват отлична проводимост и производителност на превключване в сравнение със силиций (Si) поради техните характеристики „широка забранена зона“ и висока якост на електрическото поле.

Патентованата...

SiC MOSFET транзистори на GeneSiC осигуряват отлична проводимост и производителност на превключване в...

Прочетете още

Категории

Показване на филтри
Скриване на филтриФилтрацияПоказване на филтри X
Manufacturers
more... less
Вид корпус
more... less
Постоянен ток ID при Tc=25oC
more... less
Постоянен ток ID при Tc=100oC
more... less
RDS(ON) за VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) за VGS = 15 V
more... less
Напрежение UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Изтеглете списъка с продукти
Информация close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
PDF Образ
Производител
descasc
Име на продукта
descasc
 Вижте продукта Не. Производител
Налично количество
descasc
Вид корпус
descasc
Постоянен ток ID при Tc=25oC
descasc
Постоянен ток ID при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) за VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) за VGS = 15 V
descasc
Напрежение UDS
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F135MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F135MT12J On Order TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ВИЖ ГО G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ВИЖ ГО G3F20MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ВИЖ ГО G3F60MT06K On Order TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ВИЖ ГО G3F60MT06J On Order TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ВИЖ ГО G3F60MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ВИЖ ГО G3F45MT06J On Order TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ВИЖ ГО G3F45MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ВИЖ ГО G3F33MT06K On Order TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ВИЖ ГО G3F33MT06J On Order TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ВИЖ ГО G3F25MT06K On Order TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ВИЖ ГО G3F25MT06J On Order TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ВИЖ ГО G3R12MT12K On Order TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ВИЖ ГО G3F40MT12J On Order TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ВИЖ ГО G3F40MT12K On Order TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ВИЖ ГО G3F75MT12J On Order TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F65MT12K On Order TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F65MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F65MT12J On Order TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F34MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F34MT12K On Order TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F34MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F34MT12J On Order TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F25MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- SiC Mosfet G3F25MT12K транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12K транзистор ВИЖ ГО G3F25MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F18MT12J транзистор GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F18MT12J транзистор ВИЖ ГО G3F18MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F60MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F60MT06L транзистор ВИЖ ГО G3F60MT06L On Order 48 A 34 A -- -- 650 V
Резултати на страница:
Върнете се в началото

SiC MOSFET транзистори на GeneSiC осигуряват отлична проводимост и производителност на превключване в сравнение със силиций (Si) поради техните характеристики „широка забранена зона“ и висока якост на електрическото поле.

Патентованата технология Trench-Assisted Planar на GeneSiC осигурява най-ниския коефициент RDS(ON) при високи температури и най-ниски загуби на енергия при високи скорости. Това позволява постигане на безпрецедентни, водещи в индустрията нива на производителност, здравина и качество.

Каним ви да разгледате най-широката гама от SiC MOSFET транзистори от 650 V до 6,5 kV.