Navitas uvádí nejnovější výkonové moduly SiCPAK™ – nový standard spolehlivosti a výkonu při vysokých teplotách

Navitas uvádí nové SiCPAK™ výkonové moduly – nový standard spolehlivosti a výkonu při vysokých teplotách

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), lídr v oblasti polovodičů z nitridu gallia (GaN) a karbidu křemíku (SiC), oznámil uvedení svých nejnovějších SiCPAK™ výkonových modulů. Tyto moduly se vyznačují použitím moderní technologie lití epoxidovou pryskyřicí, která výrazně zvyšuje spolehlivost a stabilitu při provozu v extrémních teplotních podmínkách.

Revoluční technologie epoxidové pryskyřice – 5krát nižší nárůst tepelného odporu

Nové SiCPAK™ 1200V moduly byly navrženy pro aplikace s vysokým výkonem v extrémních environmentálních podmínkách. Díky použití inovativní technologie epoxidové pryskyřice tyto moduly nabízejí pětkrát nižší nárůst tepelného odporu po 1000 cyklech testů tepelných šoků (-40°C až +125°C), ve srovnání s tradičními moduly se silikonovým gelem.

Všechny silikonové moduly selhaly v testech izolace, zatímco panely SiCPAK™ s epoxidovou pryskyřicí udržely bezpečné úrovně izolace, což vede k delší životnosti systémů a vyšší bezpečnosti.

Moderní MOSFET technologie – nižší ztráty výkonu, vyšší spolehlivost

Řada SiCPAK™ modulů využívá vlastní technologii „trench-assisted planar SiC MOSFET“ od GeneSiC™, která nabízí:

• O 20 % nižší ztráty výkonu,
• Nižší zahřívání, což vede k delší životnosti komponent,
• Výjimečnou stabilitu parametrů při vysokých teplotách.

V praxi to znamená nižší nárůst odporu RDS(ON)</strong) s rostoucí teplotou, což umožňuje efektivnější a energeticky úsporný provoz zařízení v širokém teplotním rozsahu.

Navíc všechny SiC MOSFET tranzistory od GeneSiC™ nabízejí:

• Nejvyšší testovanou odolnost proti lavinovému průrazu,
• Až o 30 % lepší odolnost proti zkratům,
• Přesnou toleranci prahového napětí – což usnadňuje jejich paralelní spojování.

Aplikace a konfigurace SiCPAK™ modulů

Nové moduly jsou určeny pro širokou škálu aplikací:

• Rychlé DC nabíječky pro elektromobily (EV DCFC),
• Průmyslové motory,
• UPS napájecí zdroje,
• Invertníky a optimalizátory výkonu pro fotovoltaické systémy,
• Systémy pro ukládání energie (ESS),
• Průmyslové svářecí stroje a indukční topné přístroje.

Dostupné konfigurace: polovodič, plný můstek, 3L-T-NPC, s odpory v rozmezí od 4,6 mΩ do 18,5 mΩ. Všechny moduly mají vestavěné NTC termistory a jsou kompatibilní s populárními standardy pinů press-fit. K dispozici je také možnost nanesení termotransferového materiálu (TIM) z výroby, což usnadňuje montáž.

O společnosti Navitas

Navitas Semiconductor je jediná společnost na světě, která se výhradně specializuje na polovodiče nové generace, založená v roce 2014. Řešení GaNFast™ a GeneSiC™ umožňují rychlejší nabíjení, vyšší výkonovou hustotu a značné úspory energie. Oblasti použití zahrnují AI datová centra, elektromobilitu, obnovitelné energie, ukládání energie, domácí a průmyslové spotřebiče a spotřební elektroniku.

Navitas má více než 300 patentů a nabízí první na světě 20letou záruku na GaNFast™ čipy. Společnost je také prvním výrobcem polovodičů certifikovaným jako CarbonNeutral®.

Prozkoumejte naši nabídku:

• GeneSiC Dioden
• GeneSiC Transistory