G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET
  • G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET

Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812
  • Typ bydlení TO-247-3
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 42 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 30 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 60 mΩ
  • Napětí UDS 650 V

Zašlete dotaz

Máte zájem o tento produkt? Potřebujete další informace nebo individuální ceny?

Kontaktujte nás
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Děkujeme za zaslání zprávy. Odpovíme co nejdříve.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet
pošlete dotaz

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení TO-247-3
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 42 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 30 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 60 mΩ
  • Napětí UDS 650 V
Komentáře (0)