Tranzistory | GeneSiC

SiC MOSFET tranzistory od GeneSiC poskytují vynikající vodivost a spínací výkon ve srovnání s křemíkem (Si) díky jejich „široké zakázané pásmo“ a vysoké intenzitě elektrického pole.

Patentovaná technologie

SiC MOSFET tranzistory od GeneSiC poskytují vynikající vodivost a spínací výkon ve srovnání s křemíkem (Si)...

Přečtěte si více

Kategorie

Zobrazit filtry
Skrýt filtryFiltraceZobrazit filtry X
Manufacturers
more... less
Typ bydlení
more... less
Trvalý proud I D při Tc = 25 o C
more... less
Continous currentID at Tc=100oC
more... less
RDS(ON) pro VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) pro VGS = 15 V
more... less
Napětí UDS
more... less
more... less
more... less
Filter
Stáhněte si seznam produktů
Informace close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
PDF obraz
Výrobce
descasc
Jméno výrobku
descasc
 Zobrazit produkt Č. Výrobce
Dostupné množství
descasc
Typ bydlení
descasc
Trvalý proud I D při Tc = 25 o C
descasc
Continous currentID at Tc=100oC
descasc
RDS(ON) pro VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) pro VGS = 15 V
descasc
Napětí UDS
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F135MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F135MT12J On Order TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBRAZIT G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBRAZIT G3F20MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ZOBRAZIT G3F60MT06K On Order TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ZOBRAZIT G3F60MT06J On Order TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ZOBRAZIT G3F60MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ZOBRAZIT G3F45MT06J On Order TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ZOBRAZIT G3F45MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ZOBRAZIT G3F33MT06K On Order TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ZOBRAZIT G3F33MT06J On Order TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K ZOBRAZIT G3F25MT06K On Order TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J ZOBRAZIT G3F25MT06J On Order TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC ZOBRAZIT G3R12MT12K On Order TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBRAZIT G3F40MT12J On Order TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBRAZIT G3F40MT12K On Order TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBRAZIT G3F75MT12J On Order TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12K tranzistor ZOBRAZIT G3F65MT12K On Order TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F65MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F65MT12J On Order TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12K tranzistor ZOBRAZIT G3F34MT12K On Order TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F34MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F34MT12J On Order TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F25MT12K tranzistor ZOBRAZIT G3F25MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F18MT12J tranzistor ZOBRAZIT G3F18MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf SiC Mosfet G3F60MT06L... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet G3F60MT06L tranzistor ZOBRAZIT G3F60MT06L On Order 48 A 34 A -- -- 650 V
Výsledky na stránku:
Zpět na začátek

SiC MOSFET tranzistory od GeneSiC poskytují vynikající vodivost a spínací výkon ve srovnání s křemíkem (Si) díky jejich „široké zakázané pásmo“ a vysoké intenzitě elektrického pole.

Patentovaná technologie Trench-Assisted Planar od GeneSiC nabízí nejnižší RDS(ON) při vysokých teplotách a nejnižší energetické ztráty při vysokých rychlostech. To umožňuje dosažení bezprecedentních, špičkových úrovní výkonu, robustnosti a kvality v oboru.

Zveme vás k prozkoumání nejširší nabídky SiC MOSFET tranzistorů od 650 V do 6,5 kV.