Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F45MT06J
  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 57 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 42 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 45 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V -
  • Napětí UDS 650 V

The "G3F45MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Méně
Přečtěte si více

Zašlete dotaz

Máte zájem o tento produkt? Potřebujete další informace nebo individuální ceny?

Kontaktujte nás
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Zpráva úspěšně odeslána.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 57 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 42 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 45 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V -
  • Napětí UDS 650 V

The "G3F45MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Méně
Přečtěte si více