G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET
  • G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F75MT12J
  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 39 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 28 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 75 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V -
  • Napětí UDS 1200 V

The "G3F75MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Méně
Přečtěte si více

Zašlete dotaz

Máte zájem o tento produkt? Potřebujete další informace nebo individuální ceny?

Kontaktujte nás
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Děkujeme za zaslání zprávy. Odpovíme co nejdříve.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet
pošlete dotaz

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 39 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 28 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 75 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V -
  • Napětí UDS 1200 V

The "G3F75MT12J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Méně
Přečtěte si více

Související články

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Publikováno v: Zprávy, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentáře (0)