G3R350MT12J MOSFET SIC.
  • G3R350MT12J MOSFET SIC.

Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

G3R350MT12J MOSFET SIC.

  • G3R350MT12J
  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 10 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V 350 mΩ
  • Napětí UDS 1200 V
22,87 PLN
22,87 PLN Cena brutto / ks
18,59 PLN Čistá cena / ks
S DPH

Dostupnost: Upozorňujeme, že tento produkt není na skladě

Kliknutím na tlačítko „Požádat o dostupnost“ můžete provést předobjednávku a ohlásit svůj zájem o produkt.

Vyprodáno
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Děkujeme za zaslání zprávy. Odpovíme co nejdříve.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet
pošlete dotaz

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení TO-263-7
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 10 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V 350 mΩ
  • Napětí UDS 1200 V

Související články

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Publikováno v: Zprávy, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentáře (0)