G3R40MT12D MOSFET SIC.
  • G3R40MT12D MOSFET SIC.

Fotografie slouží pouze pro informační účely. Zobrazit specifikaci produktu

please use latin characters

Výrobce: GeneSiC Semiconductor

G3R40MT12D MOSFET SIC.

  • G3R40MT12D
  • Typ bydlení TO-247-3
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 63 A
  • Continous currentID at Tc=100oC
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V 40 mΩ
  • Napětí UDS 1200 V
Nové

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Méně
Přečtěte si více
61,50 PLN
61,50 PLN Cena brutto / ks
50,00 PLN Čistá cena / ks
S DPH

Dostupnost: Upozorňujeme, že tento produkt není na skladě

Kliknutím na tlačítko „Požádat o dostupnost“ můžete provést předobjednávku a ohlásit svůj zájem o produkt.

Množstevní slevy

Množství Jednotková sleva Ušetříš
30 2,46 PLN 73,80 PLN
120 8,61 PLN 1 033,20 PLN
Vyprodáno
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Děkujeme za zaslání zprávy. Odpovíme co nejdříve.
ZEPTEJTE SE O PRODUKT close
Procházet
pošlete dotaz

Přidat do seznamu přání

musíš být přihlášen

  • Typ bydlení TO-247-3
  • Trvalý proud I D při Tc = 25 o C 63 A
  • Continous currentID at Tc=100oC
  • RDS(ON) pro VGS = 18 V 34 mΩ
  • RDS(ON) pro VGS = 15 V 40 mΩ
  • Napětí UDS 1200 V
Nové

The "G3R40MT12D" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
Méně
Přečtěte si více

Související články

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Publikováno v: Zprávy, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Komentáře (0)