Navitas bringt die neuesten SiCPAK™-Leistungsmodule auf den Markt – ein neuer Standard für Zuverlässigkeit und Leistung bei hohen Temperaturen

Navitas führt die neuesten SiCPAK™-Leistungsmodulen ein – der neue Standard für Zuverlässigkeit und Leistung bei hohen Temperaturen

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), führend in der GaN- und SiC-Halbleiterindustrie, hat die Einführung der neuesten SiCPAK™-Leistungsmodulen bekannt gegeben. Diese zeichnen sich durch den Einsatz einer modernen Epoxidharzvergusstechnologie aus, die die Zuverlässigkeit und Stabilität bei extremen thermischen Bedingungen erheblich verbessert.

Revolutionäre Epoxidharztechnologie – 5-mal geringerer Anstieg des Wärmewiderstands

Die neuen SiCPAK™ 1200V-Module wurden für Anwendungen mit hoher Leistung unter extremen Umweltbedingungen entwickelt. Durch die Anwendung der innovativen Epoxidharztechnologie bieten diese Module einen fünfmal geringeren Anstieg des Wärmewiderstands nach 1000 Zyklen thermischer Schocktests (-40°C bis +125°C) im Vergleich zu herkömmlichen Modulen mit Silikon-Gel.

Alle Silikonmodule fielen bei Isolierungstests durch, während die SiCPAK™-Module mit Epoxidharz sichere Isolationsniveaus aufrechterhielten, was zu längeren Systemlebensdauern und höherer Sicherheit führt.

Moderne MOSFET-Technologie – geringere Leistungsverluste, höhere Zuverlässigkeit

Die SiCPAK™-Modulreihe nutzt die eigene „trench-assisted planar SiC MOSFET“-Technologie von GeneSiC™, die folgende Vorteile bietet:

• 20% geringere Leistungsverluste,
• Weniger Erwärmung, was zu einer längeren Lebensdauer der Komponenten führt,
• Außergewöhnliche Stabilität der Parameter bei hohen Temperaturen.

In der Praxis bedeutet dies einen geringeren Anstieg des RDS(ON)-Widerstands mit zunehmender Temperatur, was eine effizientere und energieeinsparende Nutzung von Geräten über einen breiten Temperaturbereich ermöglicht.

Zusätzlich bieten alle SiC MOSFET-Transistoren von GeneSiC™:

• Die höchste getestete Durchbruchfestigkeit im Lawinenbetrieb,
• Bis zu 30% bessere Kurzschlussfestigkeit,
• Strikte Toleranz der Schwellenspannung – was ihre Parallelschaltung erleichtert.

Anwendungen und Konfigurationen der SiCPAK™-Module

Die neuen Module richten sich an ein breites Anwendungsspektrum:

• Schnellladegeräte DC für Elektrofahrzeuge (EV DCFC),
• Industrielle Motorsteuerungen,
• USV-Stromversorgungen,
• Wechselrichter und Leistungsoptimierer für Photovoltaikanlagen,
• Energiespeichersysteme (ESS),
• Industrielle Schweißgeräte und induktive Heizgeräte.

Verfügbare Konfigurationen: Halbbrücke, Vollbrücke, 3L-T-NPC, mit Widerstandswerten von 4,6 mΩ bis 18,5 mΩ. Alle Module sind mit integrierten NTC-Thermistoren ausgestattet und kompatibel mit den gängigen Pressfit-Pin-Standards. Es gibt auch die Möglichkeit, thermisch leitendes Material (TIM) werksseitig aufzutragen, was die Montage erleichtert.

Über Navitas

Navitas Semiconductor ist das weltweit einzige Unternehmen, das sich ausschließlich auf Halbleiter der neuen Generation spezialisiert hat und wurde 2014 gegründet. Die Lösungen GaNFast™ und GeneSiC™ ermöglichen schnelleres Laden, höhere Leistungsdichte und erhebliche Energieeinsparungen. Anwendungsbereiche umfassen KI-Rechenzentren, Elektromobilität, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, Haushalts- und Industriegeräte sowie Unterhaltungselektronik.

Navitas besitzt über 300 Patente und bietet die weltweit erste 20-jährige Garantie auf GaNFast™-Chips an. Das Unternehmen ist außerdem der erste Halbleiterhersteller mit der CarbonNeutral®-Zertifizierung.

Entdecken Sie unser Angebot:

• GeneSiC-Dioden
• GeneSiC-Transistoren