Dioden | GeneSiC

A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes,...
A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between...
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picture_as_pdf GD2X100MPS12N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2x100MPS12n Diode SiC. SEHEN SIE ES GD2X100MPS12N 1 1200 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GD2X50MPS12N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N Diode SiC. SEHEN SIE ES GD2X50MPS12N Verfügbare Menge 1200 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GD50MPS12H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H Diode SiC. SEHEN SIE ES GD50MPS12H 1 1200 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GD30MPS12J Diode SiC. GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J Diode SiC. SEHEN SIE ES GD30MPS12J 1 1200 V 30 A TO-263-7
picture_as_pdf GD10MPS12H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H Diode SiC. SEHEN SIE ES GD10MPS12H 1 1200 V 10:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GD10MPS12E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E Diode SiC. SEHEN SIE ES GD10MPS12E 1 1200 V 10:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GD2X100MPS06N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2x100MPS06N Diode SiC. SEHEN SIE ES GD2X100MPS06N 1 650 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GD2X30MPS06D Diode SiC. GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D Diode SiC. SEHEN SIE ES GD2X30MPS06D 1 650 V 60 A TO-247-3
picture_as_pdf GD30MPS06A Diode SiC. GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A Diode SiC. SEHEN SIE ES GD30MPS06A 1 650 V 30 A TO-220-2
picture_as_pdf GE04MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A Diode SiC. SEHEN SIE ES GE04MPS06A 1 650 V 4:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GE04MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E Diode SiC. SEHEN SIE ES GE04MPS06E 1 650 V 4:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC50MPS06-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 Diode SiC. SEHEN SIE ES GC50MPS06-247 Verfügbare Menge 650 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GC2X8MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 Diode SiC. SEHEN SIE ES GC2X8MPS12-247 Verfügbare Menge 1200 V 16 A TO-247-3
picture_as_pdf GC2X5MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 Diode SiC. SEHEN SIE ES GC2X5MPS12-247 Verfügbare Menge 1200 V 10:00 AM TO-247-3
picture_as_pdf GB10MPS17-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 Diode SiC. SEHEN SIE ES GB10MPS17-247 Verfügbare Menge 1700 V 10:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GB05MPS33-263 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 Diode SiC. SEHEN SIE ES GB05MPS33-263 Verfügbare Menge 3300 V 5:00 AM TO-263-7
picture_as_pdf GB05MPS17-263 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 Diode SiC. SEHEN SIE ES GB05MPS17-263 Verfügbare Menge 1700 V 5:00 AM TO-263-7
picture_as_pdf GB05MPS17-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 Diode SiC. SEHEN SIE ES GB05MPS17-247 Verfügbare Menge 1700 V 5:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GB02SLT12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 Diode SiC. SEHEN SIE ES GB02SLT12-252 Verfügbare Menge 1200 V 2:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GB02SLT12-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 DIEHA SIC. SEHEN SIE ES GB02SLT12-214 Verfügbare Menge 1200 V 2:00 AM DO-214
picture_as_pdf GB01SLT12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 Diode SiC. SEHEN SIE ES GB01SLT12-252 Verfügbare Menge 1200 V 1:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GB01SLT12-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 DIEHA SIC. SEHEN SIE ES GB01SLT12-214 Verfügbare Menge 1200 V 1:00 AM DO-214
picture_as_pdf GB01SLT06-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 DIEHA SIC. SEHEN SIE ES GB01SLT06-214 Verfügbare Menge 650 V 1:00 AM DO-214
picture_as_pdf GAP3SLT33-220FP Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP Diode SiC. SEHEN SIE ES GAP3SLT33-220FP Verfügbare Menge 3300 V 0,3 A TO-220-FP
A diode is an unsteady semiconductor device in which the conduction or valve state depends on the bias voltage between the anode and the cathode.

Our offer includes: rectifier diodes, fast diodes, ultra-fast diodes, Schottky diodes, avalanche diodes, diodes against overvoltage, high-voltage diodes.

The diodes used in power electronics systems require protection against the effects of short circuits and overvoltages.

Only quick fuses should be used for short-circuit protection of diodes. These are specially designed fuses with current values adapted to the current size of the diodes and burning out in a very short time after the occurrence of a short circuit. To protect diodes against commutation overvoltages, RC surge suppressors should be used. The parameters of the surge suppressor elements are selected so that the overvoltage occurring at the diode is limited to its safe value.