AusführungSzyna pozioma z przodu (V1)
segmentowany (Wersja 1)
Höhe (U)3 U
Breite (TE)84 HP
Seitenwandtiefe345 mm
Maximale Leiterplattentiefe280 mm
Elektronische Verbindungpłyta montażowa
Verpackt nach1 Zestaw
EMCtak
Um den EMV-Schutz zwischen dem Subrack-Seitenbereich und den vorderen / hinteren Panels sicherzustellen. Es sind zwei Versionen verfügbar. Geeignet zum Anbringen an:
482,6 mm (19˝) Flansche für Unterbeschnitte
Eckbesätze, hinten
EMV-Kontaktstreifen.
U-Kanal-Frontplatten
Trimmplatten für HEIPAC VARIO-Module
Flansche für HEIPAC-Vario-Modul
Material: Rostfreier Stahl Deutsches Patent Nein. 101 15 525 und Nein. 198 46 627. US-Patent Nr. 6.500.012. US-Patent Nr. 7.044.753.
AusführungSzyna pozioma z przodu (V1)
segmentowany (Wersja 1)
Höhe (U)3 U
Breite (TE)84 HP
Seitenwandtiefe345 mm
Maximale Leiterplattentiefe280 mm
Elektronische Verbindungpłyta montażowa
Verpackt nach1 Zestaw
EMCtak
Um den EMV-Schutz zwischen dem Subrack-Seitenbereich und den vorderen / hinteren Panels sicherzustellen. Es sind zwei Versionen verfügbar. Geeignet zum Anbringen an:
482,6 mm (19˝) Flansche für Unterbeschnitte
Eckbesätze, hinten
EMV-Kontaktstreifen.
U-Kanal-Frontplatten
Trimmplatten für HEIPAC VARIO-Module
Flansche für HEIPAC-Vario-Modul
Material: Rostfreier Stahl Deutsches Patent Nein. 101 15 525 und Nein. 198 46 627. US-Patent Nr. 6.500.012. US-Patent Nr. 7.044.753.