5. Generation IGBT Module (A-Series)
  • 5. Generation IGBT Module (A-Series)

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Hersteller: Mitsubishi

5. Generation von IGBT-Modulen - Serie A

Technische Daten

  • niedrige V CE(sat)
  • hohe Kurzschlussfestigkeit,
  • geringe Gate-Kapazität,
  • ungefähr 10% höherer Wechselrichterstrom: 15% bessere ∆T(j- f) im Vergleich zu anderen auf dem Markt angebotenen Trench-Modulen,
  • optimierte Gehäusegröße,
  • ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit durch den Einsatz von Aluminiumnitrid in der Isolationsschicht,
  • geringe Verbindungsinduktivität,
  • deutlich verbesserte Beständigkeit gegen Temperaturzyklen durch den Einsatz von Schweißtechnologie.


TypMaximalwertGehäuse
V ces
[V]		IC
[A]		PT
[W]
CM100DY-24A1200100672A1
CM150DY-24A1200150960A1
CM200DY-24A12002001340A1
CM300DY-24A12003001890A2
CM400DY-24A12004002710A3
CM600DY-24A12006003670A3
CM400HA-24A12004002350A4
CM600HA-24A12006003670A4
CM600HB-24A12006003670A5
1700 V
CM75DY-34A170075780A1
CM100DY-34A1700100960A1
CM150DY-34A17001501600A2
CM200DY-34A17002001980A2
CM300DY-34A17003002900A3
CM400DY-34A17004003780A6
CM500HA-34A17005005000A4


SymbolSchaltplan
H MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A schemat działania
D


Gehäuse A1
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A2		Gehäuse A2
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A2
Gehäuse A3
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A3		Gehäuse A4
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A4
Gehäuse A5
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A5		Gehäuse A6
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A6
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Technische Daten

  • niedrige V CE(sat)
  • hohe Kurzschlussfestigkeit,
  • geringe Gate-Kapazität,
  • ungefähr 10% höherer Wechselrichterstrom: 15% bessere ∆T(j- f) im Vergleich zu anderen auf dem Markt angebotenen Trench-Modulen,
  • optimierte Gehäusegröße,
  • ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit durch den Einsatz von Aluminiumnitrid in der Isolationsschicht,
  • geringe Verbindungsinduktivität,
  • deutlich verbesserte Beständigkeit gegen Temperaturzyklen durch den Einsatz von Schweißtechnologie.


TypMaximalwertGehäuse
V ces
[V]		IC
[A]		PT
[W]
CM100DY-24A1200100672A1
CM150DY-24A1200150960A1
CM200DY-24A12002001340A1
CM300DY-24A12003001890A2
CM400DY-24A12004002710A3
CM600DY-24A12006003670A3
CM400HA-24A12004002350A4
CM600HA-24A12006003670A4
CM600HB-24A12006003670A5
1700 V
CM75DY-34A170075780A1
CM100DY-34A1700100960A1
CM150DY-34A17001501600A2
CM200DY-34A17002001980A2
CM300DY-34A17003002900A3
CM400DY-34A17004003780A6
CM500HA-34A17005005000A4


SymbolSchaltplan
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Gehäuse A1
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A2		Gehäuse A2
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A2
Gehäuse A3
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A3		Gehäuse A4
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A4
Gehäuse A5
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A5		Gehäuse A6
MODUŁY IGBT - MITSUBISHI 5 GENERACJA MODUŁÓW IGBT - SERIA A wymiary - obudowa A6
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