IGBT Module für hohe Spannungen (HV-IGBTs - high voltage)
  • IGBT Module für hohe Spannungen (HV-IGBTs - high voltage)

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Hersteller: Mitsubishi

Wysokonapięciowe moduły IGBT

VCES
[V]		Generation und BasismaterialKonfigurationIC[A]
200400600750
1700Gl(Cu)einzeln    
Halbbrücke  CM600DY-34H 
Chopper  CM600E2Y-34H 
G3(AISiC)einzeln    
Halbbrücke    
G4(Cu)Halbbrücke    
Gf(AISiC)einzeln    
Halbbrücke 
einzeln
2500Gl(Cu)einzeln
Halbbrücke CM400DY-50H
G2(Cu)einzeln
G3(AISiC)einzeln
3300G2(Cu)einzeln
Halbbrücke CM400DY-66H
einzeln    
G3(AISiC)einzeln CM400HG-66H  
einzeln    
4500G2(Cu)einzeln CM400HB-90HCM600HB-90H 
G3(AISiC)einzeln  CM600HG-90H- 
6500G3(AISiC)einzelnCM200HG-130H3)CM400HG-130H1),3)CM600HG-130H3)CM750HG-130R1),2),3)
einzeln CM400E4G-130H3)

1) 1 In Bearbeitung
2) CSTBT-Technologie
3) Gehäuseisolierung (10,2kVrms)
4) Gehäuse 190 x 140
5) Neue Serie R



VCES
[V]		Generation und BasismaterialKonfigurationIC[A]
80090010001200
1700Gl(Cu)einzelnCM800HA-34H CM1200HA-34H
Halbbrücke
Chopper
G3(AISiC)einzeln   CM1200HC-34H
HalbbrückeCM800DZ-34H
CM800DZB-34W		   
G4(Cu)Halbbrücke   CM1200DB-34N!
Gf(AISiC)einzeln    
Halbbrücke   CM1200DC-34N!
einzeln    
2500Gl(Cu)einzelnCM800HA-50H  CM1200HA-50H
Halbbrücke    
G2(Cu)einzelnCM800HB-50H  CM1200HB-50H
G3(AISiC)einzeln    
3300G2(Cu)einzelnCM800HA-66H  CM1200HA-66H
Halbbrücke    
einzelnCM800HB-66H  CM1200HB-66H
G3(AISiC)einzelnCM800HC-66H CM1000HC-66R1,5)CM1200HC-66H
CM1200HG-66H3
einzelnCM800E2C-66H
CM800E4C-66H
CM800E6C-66H		 CM1000E4C-66R11,5)
4500G2(Cu)einzeln CM900HB-90H
G3(AISiC)einzelnCM800HG-90R1),2),3)CM900HC-90H
CM900HG-90H3		 CM1200HC-90R15
CM1200HG-90R135
6500G3(AISiC)einzeln
einzeln

1) 1 In Bearbeitung
2) CSTBT-Technologie
3) Gehäuseisolierung(10,2kVrms)
4) Gehäuse 190 x 140
5) Neue R-Serie



VCES
[V]		Generation und BasismaterialKonfigurationIC[A]
1500160018002400
1700Gl(Cu)einzeln    
Halbbrücke    
Chopper CM1600HC-34HCM1800HC-34HCM2400HC-34H
G3(AISiC)einzeln    
Halbbrücke    
G4(Cu)Halbbrücke  CM1800HC-34N2)
CM1800HCB-34N2), 3)		CM2400HC-34N2
CM2400HCB-34N2),4)
Gf(AISiC)einzeln    
Halbbrücke    
einzeln    
2500Gl(Cu)einzeln    
Halbbrücke    
G2(Cu)einzeln    
G3(AISiC)einzeln    
3300G2(Cu)einzeln    
Halbbrücke    
einzelnCM1500HC-66R
CM1500HG-66R1),3),5)		   
G3(AISiC)einzeln    
einzeln    
4500G2(Cu)einzeln    
G3(AISiC)einzeln    
6500G3(AISiC)einzeln    
einzeln    

1) 1 In Bearbeitung
2) CSTBT-Technologie
3) Gehäuseisolierung(10,2kVrms)
4) Gehäuse 190 x 140
5) Neue Serie R



TypMaximale ParameterV ce(sat) Tj =25°C
[V]		IGBT
Rth(j-c)
[°C/W]		Diode Rth(j-c)
[°C/W]		Rth(j-c) (°C/W)Gehäuse
Vces
[V]		Ic |
[A]		Viso
[V]
1700V
CM600DY-34H170060040002.750.01800.0560.016HV2
CM600E2Y-34H170060040002.750.01800.0560.016HV4
CM800HA-34H170080040002.750.01350.0420.012HV1
CM800DZ-34H170080040002.600.02000.0340.016HV2
CM800DZB-34N170080040002.100.02400.0340.016HV2
CM1200HA-34H1700120040002,750,00900,0280,008HV1
CM1200HC-34H1700120040002,500,01200,0210,008HV1
CM1200DB-34N1700120040002,150,01800,040,016HV10
CM1200DC-34N1700120040002,150,01900,0420,016HV10
CM1200E4C-34N1700120040002,150,01900,0420,016HV5
CM1200HCB-34N1700120040002.050.01450.02050.011HV5
CM1600HC-34H1700160040002.600.01000.0170.008HV1
CM1800HC-34H1700180040002.400.00800.0130.006HV6
CM1800HC-34N1700180040002.150.01300.0280.011HV5
CM1800HCB-34N1700180040002.000.00900.0130.007HV6
CM2400HC-34H1700240040002,600,00700,0120,006HV6
CM2400HC-34N1700240040002,150,00980,0210,008HV5
CM2400HCB-34N1700240040002,100,00800,0120,006HV6
2500V
CM400DY-50H250040060003,20,0360,0720,016HV3
CM800HA-50H250080060003,20,0180,0360,008HV5
CM800HB-50H250080060002,80,0120,0240,008HV7
CM1200HA-50H2500120060003,20,0120,0240,006HV6
CM1200HB-50H2500120060002,80,0080,0160,006HV6
CM1200HC-50H2500120060002,80,00850,0170,006HV6
3300V
CM400DY-66H330040060004,40,0360.0720.016HV3
CM400HG-66H3300400102003.30.0300.0600.018HV9
CM800E2C-66H330080060003.80.0120.0240.008HV6
CM800E4C-66H3300800
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VCES
[V]		Generation und BasismaterialKonfigurationIC[A]
200400600750
1700Gl(Cu)einzeln    
Halbbrücke  CM600DY-34H 
Chopper  CM600E2Y-34H 
G3(AISiC)einzeln    
Halbbrücke    
G4(Cu)Halbbrücke    
Gf(AISiC)einzeln    
Halbbrücke 
einzeln
2500Gl(Cu)einzeln
Halbbrücke CM400DY-50H
G2(Cu)einzeln
G3(AISiC)einzeln
3300G2(Cu)einzeln
Halbbrücke CM400DY-66H
einzeln    
G3(AISiC)einzeln CM400HG-66H  
einzeln    
4500G2(Cu)einzeln CM400HB-90HCM600HB-90H 
G3(AISiC)einzeln  CM600HG-90H- 
6500G3(AISiC)einzelnCM200HG-130H3)CM400HG-130H1),3)CM600HG-130H3)CM750HG-130R1),2),3)
einzeln CM400E4G-130H3)

1) 1 In Bearbeitung
2) CSTBT-Technologie
3) Gehäuseisolierung (10,2kVrms)
4) Gehäuse 190 x 140
5) Neue Serie R



VCES
[V]		Generation und BasismaterialKonfigurationIC[A]
80090010001200
1700Gl(Cu)einzelnCM800HA-34H CM1200HA-34H
Halbbrücke
Chopper
G3(AISiC)einzeln   CM1200HC-34H
HalbbrückeCM800DZ-34H
CM800DZB-34W		   
G4(Cu)Halbbrücke   CM1200DB-34N!
Gf(AISiC)einzeln    
Halbbrücke   CM1200DC-34N!
einzeln    
2500Gl(Cu)einzelnCM800HA-50H  CM1200HA-50H
Halbbrücke    
G2(Cu)einzelnCM800HB-50H  CM1200HB-50H
G3(AISiC)einzeln    
3300G2(Cu)einzelnCM800HA-66H  CM1200HA-66H
Halbbrücke    
einzelnCM800HB-66H  CM1200HB-66H
G3(AISiC)einzelnCM800HC-66H CM1000HC-66R1,5)CM1200HC-66H
CM1200HG-66H3
einzelnCM800E2C-66H
CM800E4C-66H
CM800E6C-66H		 CM1000E4C-66R11,5)
4500G2(Cu)einzeln CM900HB-90H
G3(AISiC)einzelnCM800HG-90R1),2),3)CM900HC-90H
CM900HG-90H3		 CM1200HC-90R15
CM1200HG-90R135
6500G3(AISiC)einzeln
einzeln

1) 1 In Bearbeitung
2) CSTBT-Technologie
3) Gehäuseisolierung(10,2kVrms)
4) Gehäuse 190 x 140
5) Neue R-Serie



VCES
[V]		Generation und BasismaterialKonfigurationIC[A]
1500160018002400
1700Gl(Cu)einzeln    
Halbbrücke    
Chopper CM1600HC-34HCM1800HC-34HCM2400HC-34H
G3(AISiC)einzeln    
Halbbrücke    
G4(Cu)Halbbrücke  CM1800HC-34N2)
CM1800HCB-34N2), 3)		CM2400HC-34N2
CM2400HCB-34N2),4)
Gf(AISiC)einzeln    
Halbbrücke    
einzeln    
2500Gl(Cu)einzeln    
Halbbrücke    
G2(Cu)einzeln    
G3(AISiC)einzeln    
3300G2(Cu)einzeln    
Halbbrücke    
einzelnCM1500HC-66R
CM1500HG-66R1),3),5)		   
G3(AISiC)einzeln    
einzeln    
4500G2(Cu)einzeln    
G3(AISiC)einzeln    
6500G3(AISiC)einzeln    
einzeln    

1) 1 In Bearbeitung
2) CSTBT-Technologie
3) Gehäuseisolierung(10,2kVrms)
4) Gehäuse 190 x 140
5) Neue Serie R



TypMaximale ParameterV ce(sat) Tj =25°C
[V]		IGBT
Rth(j-c)
[°C/W]		Diode Rth(j-c)
[°C/W]		Rth(j-c) (°C/W)Gehäuse
Vces
[V]		Ic |
[A]		Viso
[V]
1700V
CM600DY-34H170060040002.750.01800.0560.016HV2
CM600E2Y-34H170060040002.750.01800.0560.016HV4
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CM800DZ-34H170080040002.600.02000.0340.016HV2
CM800DZB-34N170080040002.100.02400.0340.016HV2
CM1200HA-34H1700120040002,750,00900,0280,008HV1
CM1200HC-34H1700120040002,500,01200,0210,008HV1
CM1200DB-34N1700120040002,150,01800,040,016HV10
CM1200DC-34N1700120040002,150,01900,0420,016HV10
CM1200E4C-34N1700120040002,150,01900,0420,016HV5
CM1200HCB-34N1700120040002.050.01450.02050.011HV5
CM1600HC-34H1700160040002.600.01000.0170.008HV1
CM1800HC-34H1700180040002.400.00800.0130.006HV6
CM1800HC-34N1700180040002.150.01300.0280.011HV5
CM1800HCB-34N1700180040002.000.00900.0130.007HV6
CM2400HC-34H1700240040002,600,00700,0120,006HV6
CM2400HC-34N1700240040002,150,00980,0210,008HV5
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2500V
CM400DY-50H250040060003,20,0360,0720,016HV3
CM800HA-50H250080060003,20,0180,0360,008HV5
CM800HB-50H250080060002,80,0120,0240,008HV7
CM1200HA-50H2500120060003,20,0120,0240,006HV6
CM1200HB-50H2500120060002,80,0080,0160,006HV6
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3300V
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CM800E4C-66H3300800
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