SiC-MOSFET-Module | Mitsubishi

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

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Hersteller
descasc
Produktname
descasc
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Verfügbare Menge
descasc
Konfiguration
descasc
UDS Spannung
descasc
-- SIC-MOSFET-Module Mitsubishi SIC-MOSFET-Module SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- --
picture_as_pdf CMH400DU-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CMH400DU-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH400DU-24NFH Verfügbare Menge 2in1 400 V
picture_as_pdf CMH600DU-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CMH600DU-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH600DU-24NFH Verfügbare Menge 2in1 600 V
picture_as_pdf CM400HC6-24NFM MOSFET SIC. Mitsubishi CMH400HC6-24NFM MOSFET SIC. SEHEN SIE ES CMH400HC6-24NFM Verfügbare Menge 1in1 400 V
picture_as_pdf FMF375DC-66A MOSFET SIC Mitsubishi FMF375DC-66A MOSFET SIC SEHEN SIE ES FMF375DC-66A Verfügbare Menge 2in1 375 V
picture_as_pdf FMF750DC-66A MOSFET SIC Mitsubishi FMF750DC-66A MOSFET SIC SEHEN SIE ES FMF750DC-66A Verfügbare Menge 2in1 750 V
picture_as_pdf CMH600DC-66X MOSFET SIC Mitsubishi CMH600DC-66X MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH600DC-66X Verfügbare Menge 2in1 600 V
picture_as_pdf PSF15S92F6 MOSFET SIC. Mitsubishi PSF15S92F6 MOSFET SIC. SEHEN SIE ES PSF15S92F6 Verfügbare Menge 6in1 15 V
picture_as_pdf PSF25S92F6 MOSFET SIC. Mitsubishi PSF25S92F6 MOSFET SIC. SEHEN SIE ES PSF25S92F6 Verfügbare Menge 6in1 25 V
picture_as_pdf PSH30L92C6-in MOSFET SIC Mitsubishi PSH30L92C6-in MOSFET SIC SEHEN SIE ES PSH30L92C6-W Verfügbare Menge Three-phase interleaved 30Arms V
picture_as_pdf PSH20L91A6-A MOSFET SIC Mitsubishi PSH20L91A6-A MOSFET SIC SEHEN SIE ES PSH20L91A6-A Verfügbare Menge Two-phase interleaved 20Arms V
picture_as_pdf PSF20L91A6-A MOSFET SIC Mitsubishi PSF20L91A6-A MOSFET SIC SEHEN SIE ES PSF20L91A6-A Verfügbare Menge Two-phase interleaved 20Arms V
picture_as_pdf FMF800DC-66BEW MOSFET SiC Mitsubishi FMF800DC-66BEW MOSFET SiC SEHEN SIE ES FMF800DC-66BEW Verfügbare Menge 2in1 3300 V
picture_as_pdf 1200V FMF600DXE-24BN Mitsubishi 1200V FMF600DXE-24BN SEHEN SIE ES FMF600DXE-24BN Verfügbare Menge 2in1 1200 V
picture_as_pdf CM300DX-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CM300DX-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH300DX-24NFH Verfügbare Menge 2in1 300 V
picture_as_pdf CM300DU-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CM300DU-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH300DU-24NFH Verfügbare Menge 2in1 300 V
picture_as_pdf CM200DU-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CM200DU-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH200DU-24NFH Verfügbare Menge 2in1 200 V
picture_as_pdf 1700V FMF600DXE-34BN Mitsubishi 1700V FMF600DXE-34BN SEHEN SIE ES FMF600DXE-34BN Verfügbare Menge 2in1 1700 V
picture_as_pdf PMF75CGA120 MOSFET SIC. Mitsubishi PMF75CGA120 MOSFET SIC. SEHEN SIE ES PMF75CGA120 Verfügbare Menge 6in1 75 V
picture_as_pdf PMF75CGAL120 MOSFET SIC. Mitsubishi PMF75CGAL120 MOSFET SIC. SEHEN SIE ES PMF75CGAL120 Verfügbare Menge 6in1 75 V
picture_as_pdf CMH100DY-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CMH100DY-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH100DY-24NFH Verfügbare Menge 2in1 100 V
picture_as_pdf CMH150DY-24NFH MOSFET SIC Mitsubishi CMH150DY-24NFH MOSFET SIC SEHEN SIE ES CMH150DY-24NFH Verfügbare Menge 2in1 150 V
picture_as_pdf FMF300BXZ-24B MOSFET SIC Mitsubishi FMF300BXZ-24B MOSFET SIC SEHEN SIE ES FMF300BXZ-24B Verfügbare Menge 4in1 300 V
picture_as_pdf FMF400BX-24B MOSFET SIC Mitsubishi FMF400BX-24B MOSFET SIC SEHEN SIE ES FMF400BX-24B Verfügbare Menge 4in1 400 V
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.

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