MOSFET-Module von MITSUBISHI

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
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Hersteller
descasc
Produktname
descasc
 Produkt anzeigen Hersteller-Nr
Verfügbare Menge
descasc
UDS Spannung
descasc
Dauerstrom ID bei Tc=25oC
descasc
picture_as_pdf MOSFET-Module von MITSUBISHI Mitsubishi MOSFET-Module von MITSUBISHI SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- --
picture_as_pdf FM600TU-3A Moduł mosfet Mitsubishi FM600TU-3A MOSFET MODULE SEHEN SIE ES FM600TU-3A Verfügbare Menge 150 V 300 A
picture_as_pdf FM600TU-07A Mosfet Mitsubishi FM600TU-07A MOSFET SEHEN SIE ES FM600TU-07A Verfügbare Menge 75 V 600 A
picture_as_pdf FM400TU-3A Tranzystor Mitsubishi FM400TU-3A Transistor SEHEN SIE ES FM400TU-3A Verfügbare Menge 150 V --
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.