G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET
  • G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET

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G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET

  • G2R1000MT17J Tranzystor SiC MOSFET 35141
  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 5 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 3 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 1000 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V -
  • UDS Spannung 1700 V
19,68 PLN
19,68 PLN Bruttopreis / Stck.
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  • RDS(ON) für VGS = 15 V -
  • UDS Spannung 1700 V
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