G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET
  • G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

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G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55822
  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 39 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 28 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 75 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V -
  • UDS Spannung 1200 V

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  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 39 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 28 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 75 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V -
  • UDS Spannung 1200 V
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