G3R160MT12D Tranzystor SiC MOSFET
  • G3R160MT12D Tranzystor SiC MOSFET

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G3R160MT12D Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R160MT12D Tranzystor SiC MOSFET 35144
  • Gehäusetyp TO-247-3
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 19 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 13 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 135 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 160 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
26,69 PLN
26,69 PLN Bruttopreis / Stck.
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  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 19 A
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  • RDS(ON) für VGS = 15 V 160 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
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