G3R20MT12N Tranzystor SiC MOSFET
  • G3R20MT12N Tranzystor SiC MOSFET

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G3R20MT12N Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R20MT12N Tranzystor SiC MOSFET 35149
  • Gehäusetyp SOT-227
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 90 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 64 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 17 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 20 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
259,04 PLN
259,04 PLN Bruttopreis / Stck.
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  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 90 A
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  • RDS(ON) für VGS = 15 V 20 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
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