G3R350MT12J Tranzystor SiC MOSFET
  • G3R350MT12J Tranzystor SiC MOSFET

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G3R350MT12J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R350MT12J Tranzystor SiC MOSFET 35181
  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 10 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 350 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
22,87 PLN
22,87 PLN Bruttopreis / Stck.
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  • RDS(ON) für VGS = 15 V 350 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
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