G3R75MT12J Tranzystor SiC MOSFET
  • G3R75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

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G3R75MT12J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R75MT12J Tranzystor SiC MOSFET 35190
  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 38 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 27 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 64 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 75 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
43,05 PLN
43,05 PLN Bruttopreis / Stck.
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  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 38 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 27 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 64 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 75 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
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