GB2X100MPS12-227 Dioda SiC
  • GB2X100MPS12-227 Dioda SiC

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GB2X100MPS12-227 Dioda SiC

  • GB2X100MPS12-227 Dioda SiC 34996
  • IFAV 200 A
  • Gehäusetyp SOT-227
  • URRM Spannung 1200 V
531,52 PLN
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  • Gehäusetyp SOT-227
  • URRM Spannung 1200 V
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