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Tranzystor SiC MOSFET G3F20MT12K

  • G3F20MT12K
  • Gehäusetyp TO-247-4
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 109 A
  • Dauerstrom IC bei Tc=100oC
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 20 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V -
  • UDS Spannung 1200 V

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  • Gehäusetyp TO-247-4
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 109 A
  • Dauerstrom IC bei Tc=100oC
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 20 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V -
  • UDS Spannung 1200 V