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Information
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| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet G3F135MT12J-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F135MT12J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | 18 A | -- | -- | -- | 13 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | |
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SEMIKRON | SK30DGDL07E3ETE1 Sieben Packung | SEHEN SIE ES | SK30DGDL07E3ETE1 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Transistor | SEHEN SIE ES | EPC7019 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1-May | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SEMIX303GB17E4P Halfbrücke. | SEHEN SIE ES | SEMiX303GB17E4p | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K | SEHEN SIE ES | G3F25MT06K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | 100 A | -- | -- | -- | 71 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | ||
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GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet G3F33MT06L-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F33MT06L | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | 90 A | -- | -- | -- | 64 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
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Mitsubishi | Halbleiterkomponente aus Siziliumkarbid (SiC) | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | IPM - SKiiP 2, SKiiP 3 | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K MOSFET SIC. | SEHEN SIE ES | G3R60MT07K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- |
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Mitsubishi | PSH20L91A6-A MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | PSH20L91A6-A | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Two-phase interleaved | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 20Arms V | -- | -- |
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SEMIKRON | SK 30 DGDL 066 ET IGBT-Modul | SEHEN SIE ES | SK30DGDL066ET | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 600 V | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SKM400Gar176D IGBT-Modul. | SEHEN SIE ES | SKM400GAR176D | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Single Switch | 1700 V | 300 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J | SEHEN SIE ES | G3F25MT06J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 77 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K | SEHEN SIE ES | G3F45MT06K | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | -- | 52 A | -- | -- | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | ||
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Transistor | SEHEN SIE ES | EPC7004 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 7 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Hochspannungs-Intelligentes-Leistungsmodul | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
SEMIKRON | IGBT Module - SEMITRANS | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | PSF25S92F6 MOSFET SIC. | SEHEN SIE ES | PSF25S92F6 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 6in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 25 V | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | 1700V FMF600DXE-34BN | SEHEN SIE ES | FMF600DXE-34BN | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1700 V | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | SiC-Mosfet G3F25MT06L-Transistor | SEHEN SIE ES | G3F25MT06L | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | 125 A | -- | -- | -- | 88 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | |||
| picture_as_pdf |
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Mitsubishi | Wysokonapięciowe moduły IGBT | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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Infineon | IGBT-Module der Serie EconoPACK+ | SEHEN SIE ES | -- | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J MOSFET SIC. | SEHEN SIE ES | G3R60MT07J | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | 44 A | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
Mitsubishi | CMH150DY-24NFH MOSFET SIC | SEHEN SIE ES | CMH150DY-24NFH | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 150 V | -- | -- |
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DACPOL is an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. Our clients can rely on the quality of the products and services we provide, regardless of whether they buy MOSFET modules, DC diodes or silicon carbide semiconductors.
We are ready to provide you with a wholesale quantity of the products you are looking for. Regardless of whether you order single product from the transistors category or buy them in bulk quantities, we offer a comprehensive delivery of all products.
To meet the highest quality of service, we offer our clients only products from reliable suppliers and manufacturers. Our team of engineers, at every stage, serves their knowledge and advice so as to be able to provide customers with information on the maintenance and use of purchased products
The products DACPOL offers from the group of electronic components, power supply and connectors is much larger and includes various types of electrical and industrial items from the category of transistors. On our website you can familiarize yourself with the full range of products from the group of electronic components, power supply and connectors.
Field effect transistor
We offer two types of field effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.
MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.
They are available in the current range from 1.1A to 250A and voltages from 12V to 900V. The MOS-FET transistors are manufactured in the following types of enclosures: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.
They are available in electro-insulated enclosures as single transistors, two-bridge modules (half-bridge), six-element modules (full bridge), seven-element modules (full bridge with transistor). Typical enclosures are: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, and SD4.
The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protections.