Transistoren | GeneSiC

GeneSiC SiC MOSFETs bieten im Vergleich zu Silizium (Si) eine hervorragende Leitfähigkeit und Schaltleistung aufgrund ihrer "Breitbandlücken"-Eigenschaften und der hohen elektrischen Feldstärke.

GeneSiCs patentierte Trench-Assisted...

GeneSiC SiC MOSFETs bieten im Vergleich zu Silizium (Si) eine hervorragende Leitfähigkeit und...

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descasc
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-- Transistoren SIC MOSFET. GeneSiC Semiconductor Transistoren SIC MOSFET. SEHEN SIE ES -- Verfügbare Menge -- -- -- -- -- --
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F45MT06D Verfügbare Menge TO-247-3 650 V 52 A 37 A 45 mΩ -
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F45MT06K Verfügbare Menge TO-247-4 650 V 52 A 37 A 45 mΩ -
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F60MT06J Verfügbare Menge TO-263-7 650 V 46 A 32 A 60 mΩ
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F60MT06D Verfügbare Menge TO-247-3 650 V 42 A 30 A 60 mΩ
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F60MT06K Verfügbare Menge TO-247-4 650 V 42 A 30 A 60 mΩ
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC SEHEN SIE ES G3R12MT12K Verfügbare Menge TO-247-4 1200 V 155 A 110 A 12 mΩ
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R60MT07J Verfügbare Menge TO-263-7 750 V 44 A 31 A - 60 mΩ
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R60MT07K Verfügbare Menge TO-247-4 750 V 48 A 34 A - 60 mΩ
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F45MT06J Verfügbare Menge TO-263-7 650 V 57 A 42 A 45 mΩ -
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F33MT06K Verfügbare Menge TO-247-4 650 V 70 A 50 A 33 mΩ -
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F40MT12J Verfügbare Menge TO-263-7 1200 V 68 A 48 A 40 mΩ -
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F40MT12K Verfügbare Menge TO-247-4 1200 V 61 A 43 A 40 mΩ -
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F75MT12J Verfügbare Menge TO-263-7 1200 V 39 A 28 A 75 mΩ -
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F75MT12K Verfügbare Menge TO-247-4 1200 V 35 A 25 A 75 mΩ -
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F25MT06K Verfügbare Menge TO-263-7 650 V 90 A 64 A 25 mΩ -
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F25MT06J Verfügbare Menge TO-247-4 650 V 100 A 70 A 25 mΩ -
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC... GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET SEHEN SIE ES G3F33MT06J Verfügbare Menge TO-263-7 650 V 55 A 33 mΩ -
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R160MT17D 600 TO-247-3 1700 V - - 160 mΩ
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R60MT07D Verfügbare Menge TO-247-3 750 V 43 A 30 A - 60 mΩ
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R40MT12J Verfügbare Menge TO-263-7 1200 V 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT2K MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R20MT12K Verfügbare Menge TO-247-4 1200 V 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R160MT17J Verfügbare Menge TO-263-7 1700 V 18 A 13 A - 160 mΩ
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT2K MOSFET SIC. SEHEN SIE ES G3R75MT12K 590 TO-247-4 1200 V 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ
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GeneSiC SiC MOSFETs bieten im Vergleich zu Silizium (Si) eine hervorragende Leitfähigkeit und Schaltleistung aufgrund ihrer "Breitbandlücken"-Eigenschaften und der hohen elektrischen Feldstärke.

GeneSiCs patentierte Trench-Assisted Planar-Technologie bietet den niedrigsten RDS(ON) bei hohen Temperaturen und die geringsten Energieverluste bei hohen Geschwindigkeiten. Dies ermöglicht beispiellose, branchenführende Leistungs-, Robustheits- und Qualitätsniveaus.

Wir laden Sie ein, das breiteste Angebot an 650 V – 6,5 kV SiC MOSFETs zu erkunden.