Navitas presenta los últimos módulos de potencia SiCPAK™ – un nuevo estándar de fiabilidad y rendimiento a altas temperaturas

Navitas presenta sus nuevos módulos de potencia SiCPAK™: el nuevo estándar de fiabilidad y rendimiento a altas temperaturas

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), líder en la industria de semiconductores de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC), ha anunciado el lanzamiento de sus nuevos módulos de potencia SiCPAK™. Estos módulos se distinguen por el uso de la moderna tecnología de encapsulado con resina epoxi, que mejora significativamente la fiabilidad y estabilidad en condiciones térmicas extremas.

Tecnología revolucionaria de resina epoxi: aumento 5 veces menor de la resistencia térmica

Los nuevos módulos SiCPAK™ 1200V están diseñados para aplicaciones de alta potencia en condiciones ambientales extremas. Gracias al uso de la innovadora tecnología de resina epoxi, estos módulos ofrecen un aumento 5 veces menor de la resistencia térmica después de 1000 ciclos de prueba de choque térmico (-40°C a +125°C), en comparación con los módulos tradicionales con gel de silicona.

Todos los módulos de silicona fallaron en las pruebas de aislamiento, mientras que los paneles SiCPAK™ con resina epoxi mantuvieron niveles de aislamiento seguros, lo que se traduce en una vida útil más larga de los sistemas y mayor seguridad.

Tecnología MOSFET avanzada: menores pérdidas de potencia, mayor fiabilidad

La serie de módulos SiCPAK™ utiliza la tecnología propia "trench-assisted planar SiC MOSFET" de GeneSiC™, que ofrece:

• Un 20 % menor pérdida de potencia,
• Menor calentamiento, lo que conduce a una mayor vida útil de los componentes,
• Estabilidad excepcional de los parámetros a altas temperaturas.

En la práctica, esto significa un menor aumento de la resistencia RDS(ON) a medida que aumenta la temperatura, lo que permite un funcionamiento más eficiente y económico en términos de energía de los dispositivos en un amplio rango de temperaturas.

Además, todos los transistores SiC MOSFET de GeneSiC™ ofrecen:

• La mayor resistencia probada a los golpes por avalancha,
• Hasta un 30 % mejor resistencia a los cortocircuitos,
• Una tolerancia precisa del voltaje umbral, lo que facilita la conexión en paralelo.

Aplicaciones y configuraciones de los módulos SiCPAK™

Los nuevos módulos están dirigidos a una amplia gama de aplicaciones:

• Cargadores rápidos de CC para vehículos eléctricos (EV DCFC),
• Accionamientos industriales de motores,
• Suministros de energía UPS,
• Inversores y optimizadores de energía para sistemas fotovoltaicos,
• Sistemas de almacenamiento de energía (ESS),
• Soldadoras industriales y dispositivos de calefacción por inducción.

Las configuraciones disponibles son: medio puente, puente completo, 3L-T-NPC, con resistencias en el rango de 4,6 mΩ a 18,5 mΩ. Todos los módulos incluyen termistores NTC y son compatibles con los estándares de pines press-fit populares. También está disponible la opción de aplicar material térmico (TIM) de fábrica, lo que facilita el montaje.

Sobre Navitas

Navitas Semiconductor es la única empresa en el mundo especializada exclusivamente en semiconductores de nueva generación, fundada en 2014. Las soluciones GaNFast™ y GeneSiC™ permiten una carga más rápida, una mayor densidad de potencia y un ahorro significativo de energía. Las áreas de aplicación incluyen centros de datos AI, electromovilidad, energía renovable, almacenamiento de energía, dispositivos domésticos e industriales y electrónica de consumo.

Navitas posee más de 300 patentes y ofrece la primera garantía de 20 años para los chips GaNFast™. La empresa también es el primer fabricante de semiconductores con la certificación CarbonNeutral®.

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