módulos IGBT de alta tensión
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Fabricante: Mitsubishi

Wysokonapięciowe moduły IGBT

VCES
[V]		Generación y material baseConfiguraciónIC[A]
200400600750
1700Gl(Cu)pojedynczy    
półmostek  CM600DY-34H 
chopper  CM600E2Y-34H 
G3(AISiC)pojedynczy    
półmostek    
G4(Cu)półmostek    
Gf(AISiC)pojedynczy    
półmostek 
único
2500Gl(Cu)único
medio puente CM400DY-50H
G2(Cu)único
G3(AISiC)único
3300G2(Cu)único
medio puente CM400DY-66H
único
G3(AISiC)único CM400HG-66H
único
4500G2(Cu)único CM400HB-90HCM600HB-90H
G3(AISiC)único CM600HG-90H-
6500G3(AISiC)únicoCM200HG-130H3)CM400HG-130H1),3)CM600HG-130H3)CM750HG-130R1),2),3)
único CM400E4G-130H3)

1) 1 En desarrollo
2) Tecnología CSTBT
3) Aislamiento de carcasa (10,2kVrms)
4) Carcasa 190 x 140
5) Nueva serie R



VCES
[V]		Generación y material baseConfiguraciónIC[A]
80090010001200
1700Gl(Cu)simpleCM800HA-34H CM1200HA-34H
medio puente
chopper
G3(AISiC)simple   CM1200HC-34H
medio puenteCM800DZ-34H
CM800DZB-34W		   
G4(Cu)medio puente   CM1200DB-34N!
Gf(AISiC)sencillo    
medio puente   CM1200DC-34N!
sencillo    
2500Gl(Cu)sencilloCM800HA-50H  CM1200HA-50H
medio puente    
G2(Cu)individualCM800HB-50H  CM1200HB-50H
G3(AISiC)individual    
3300G2(Cu)individualCM800HA-66H  CM1200HA-66H
half-bridge    
individualCM800HB-66H  CM1200HB-66H
G3(AISiC)individualCM800HC-66H CM1000HC-66R1,5)CM1200HC-66H
CM1200HG-66H3
individualCM800E2C-66H
CM800E4C-66H
CM800E6C-66H		 CM1000E4C-66R11,5)
4500G2(Cu)único CM900HB-90H
G3(AISiC)únicoCM800HG-90R1),2),3)CM900HC-90H
CM900HG-90H3		 CM1200HC-90R15
CM1200HG-90R135
6500G3(AISiC)único
único

1) 1 En desarrollo
2) Tecnología CSTBT
3) Aislamiento de carcasa(10,2kVrms)
4) Carcasa 190 x 140
5) Nueva serie R



VCES
[V]		Generación y material básicoConfiguraciónIC[A]
1500160018002400
1700Gl(Cu)simple    
medio puente    
chopper CM1600HC-34HCM1800HC-34HCM2400HC-34H
G3(AISiC)simple    
medio puente    
G4(Cu)medio puente  CM1800HC-34N2)
CM1800HCB-34N2), 3)		CM2400HC-34N2
CM2400HCB-34N2),4)
Gf(AISiC)único    
medio puente    
único    
2500Gl(Cu)único    
medio puente    
G2(Cu)único    
G3(AISiC)único  
3300G2(Cu)individual
half-bridge
individualCM1500HC-66R
CM1500HG-66R1),3),5)
G3(AISiC)individual
individual
4500G2(Cu)individual
G3(AISiC)individual
6500G3(AISiC)pojedynczy    
pojedynczy    

1) 1 En desarrollo
2) Tecnología CSTBT
3) Aislamiento de la carcasa(10,2kVrms)
4) Carcasa 190 x 140
5) Nueva serie R



TipoParámetros máximosV ce(sat) Tj =25°C
[V]		IGBT
Rth(j-c)
[°C/W]		Diodo Rth(j-c)
[°C/W]		Rth(j-c) (°C/W)Carcasa
Vces
[V]		Ic |
[A]		Viso
[V]
1700V
CM600DY-34H170060040002.750.01800.0560.016HV2
CM600E2Y-34H170060040002.750.01800.0560.016HV4
CM800HA-34H170080040002.750.01350.0420.012HV1
CM800DZ-34H170080040002.600.02000.0340.016HV2
CM800DZB-34N170080040002.100.02400.0340.016HV2
CM1200HA-34H1700120040002.750.00900.0280.008HV1
CM1200HC-34H1700120040002.500.01200.0210.008HV1
CM1200DB-34N1700120040002.150.01800.040.016HV10
CM1200DC-34N1700120040002.150.01900.0420.016HV10
CM1200E4C-34N1700120040002.150.01900.0420.016HV5
CM1200HCB-34N1700120040002.050.01450.02050.011HV5
CM1600HC-34H1700160040002.600.01000.0170.008HV1
CM1800HC-34H1700180040002.400.00800.0130.006HV6
CM1800HC-34N1700180040002.150.01300.0280.011HV5
CM1800HCB-34N1700180040002.000.00900.0130.007HV6
CM2400HC-34H1700240040002.600.00700.0120.006HV6
CM2400HC-34N1700240040002.150.00980.0210.008HV5
CM2400HCB-34N1700240040002.100.00800.0120.006HV6
2500V
CM400DY-50H250040060003.20.0360.0720.016HV3
CM800HA-50H250080060003.20.0180.0360.008HV5
CM800HB-50H250080060002.80.0120.0240.008HV7
CM1200HA-50H2500120060003.20.0120.0240.006HV6
CM1200HB-50H2500120060002.80.0080.0160.006HV6
CM1200HC-50H2500120060002.80.00850.0170.006HV6
3300V
CM400DY-66H330040060004.40.0360.0720.016HV3
CM400HG-66H3300400102003.30.0300.0600.018HV9
CM800E2C-66H330080060003.80.0120.0240.008HV6
CM800E4C-66H3300800
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VCES
[V]		Generación y material baseConfiguraciónIC[A]
200400600750
1700Gl(Cu)pojedynczy    
półmostek  CM600DY-34H 
chopper  CM600E2Y-34H 
G3(AISiC)pojedynczy    
półmostek    
G4(Cu)półmostek    
Gf(AISiC)pojedynczy    
półmostek 
único
2500Gl(Cu)único
medio puente CM400DY-50H
G2(Cu)único
G3(AISiC)único
3300G2(Cu)único
medio puente CM400DY-66H
único
G3(AISiC)único CM400HG-66H
único
4500G2(Cu)único CM400HB-90HCM600HB-90H
G3(AISiC)único CM600HG-90H-
6500G3(AISiC)únicoCM200HG-130H3)CM400HG-130H1),3)CM600HG-130H3)CM750HG-130R1),2),3)
único CM400E4G-130H3)

1) 1 En desarrollo
2) Tecnología CSTBT
3) Aislamiento de carcasa (10,2kVrms)
4) Carcasa 190 x 140
5) Nueva serie R



VCES
[V]		Generación y material baseConfiguraciónIC[A]
80090010001200
1700Gl(Cu)simpleCM800HA-34H CM1200HA-34H
medio puente
chopper
G3(AISiC)simple   CM1200HC-34H
medio puenteCM800DZ-34H
CM800DZB-34W		   
G4(Cu)medio puente   CM1200DB-34N!
Gf(AISiC)sencillo    
medio puente   CM1200DC-34N!
sencillo    
2500Gl(Cu)sencilloCM800HA-50H  CM1200HA-50H
medio puente    
G2(Cu)individualCM800HB-50H  CM1200HB-50H
G3(AISiC)individual    
3300G2(Cu)individualCM800HA-66H  CM1200HA-66H
half-bridge    
individualCM800HB-66H  CM1200HB-66H
G3(AISiC)individualCM800HC-66H CM1000HC-66R1,5)CM1200HC-66H
CM1200HG-66H3
individualCM800E2C-66H
CM800E4C-66H
CM800E6C-66H		 CM1000E4C-66R11,5)
4500G2(Cu)único CM900HB-90H
G3(AISiC)únicoCM800HG-90R1),2),3)CM900HC-90H
CM900HG-90H3		 CM1200HC-90R15
CM1200HG-90R135
6500G3(AISiC)único
único

1) 1 En desarrollo
2) Tecnología CSTBT
3) Aislamiento de carcasa(10,2kVrms)
4) Carcasa 190 x 140
5) Nueva serie R



VCES
[V]		Generación y material básicoConfiguraciónIC[A]
1500160018002400
1700Gl(Cu)simple    
medio puente    
chopper CM1600HC-34HCM1800HC-34HCM2400HC-34H
G3(AISiC)simple    
medio puente    
G4(Cu)medio puente  CM1800HC-34N2)
CM1800HCB-34N2), 3)		CM2400HC-34N2
CM2400HCB-34N2),4)
Gf(AISiC)único    
medio puente    
único    
2500Gl(Cu)único    
medio puente    
G2(Cu)único    
G3(AISiC)único  
3300G2(Cu)individual
half-bridge
individualCM1500HC-66R
CM1500HG-66R1),3),5)
G3(AISiC)individual
individual
4500G2(Cu)individual
G3(AISiC)individual
6500G3(AISiC)pojedynczy    
pojedynczy    

1) 1 En desarrollo
2) Tecnología CSTBT
3) Aislamiento de la carcasa(10,2kVrms)
4) Carcasa 190 x 140
5) Nueva serie R



TipoParámetros máximosV ce(sat) Tj =25°C
[V]		IGBT
Rth(j-c)
[°C/W]		Diodo Rth(j-c)
[°C/W]		Rth(j-c) (°C/W)Carcasa
Vces
[V]		Ic |
[A]		Viso
[V]
1700V
CM600DY-34H170060040002.750.01800.0560.016HV2
CM600E2Y-34H170060040002.750.01800.0560.016HV4
CM800HA-34H170080040002.750.01350.0420.012HV1
CM800DZ-34H170080040002.600.02000.0340.016HV2
CM800DZB-34N170080040002.100.02400.0340.016HV2
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CM1200HCB-34N1700120040002.050.01450.02050.011HV5
CM1600HC-34H1700160040002.600.01000.0170.008HV1
CM1800HC-34H1700180040002.400.00800.0130.006HV6
CM1800HC-34N1700180040002.150.01300.0280.011HV5
CM1800HCB-34N1700180040002.000.00900.0130.007HV6
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CM2400HC-34N1700240040002.150.00980.0210.008HV5
CM2400HCB-34N1700240040002.100.00800.0120.006HV6
2500V
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CM800HB-50H250080060002.80.0120.0240.008HV7
CM1200HA-50H2500120060003.20.0120.0240.006HV6
CM1200HB-50H2500120060002.80.0080.0160.006HV6
CM1200HC-50H2500120060002.80.00850.0170.006HV6
3300V
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CM800E4C-66H3300800
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