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Mitsubishi | FMF375DC-66A MOSFET SIC | MÍRALO | FMF375DC-66A | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 375 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk25dgdl12t7ete2s siete pack | MÍRALO | SK25DGDL12T7ETE2s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 25 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk35dgdl12t7ete2s siete pack | MÍRALO | SK35DGDL12T7ETE2s | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 1200 V | 35 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Sk10dgdl07e3ete1 siete pack | MÍRALO | SK10DGDL07E3ETE1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Seven Pack | 650 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | MÍRALO | G3F75MT12J | On Order | TO-263-7 | -- | -- | -- | 31 A | -- | -- | -- | 22 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G3F18MT12U | MÍRALO | G3F18MT12U | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | MÍRALO | G3F18MT12FB4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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Vishay | Transistores IGBT de la empresa VISHAY (IR) | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Microsemi | Módulos MOSFET - MOSTICEMI | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 5 generación de módulos IPM - serie L | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Controladores de semiiriver | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | 7 generación de módulos IGBT | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skiip 11ac12t7v1 seis pack | MÍRALO | SKiiP11AC12T7V1 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Six Pack | 1200 V | 10:00 AM | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skm600gb066d medio puente | MÍRALO | SKM600GB066D | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 600 V | 600 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | SK225GH07H5TD1E2 H-Puente | MÍRALO | SK225GH07H5TD1E2 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | H-Bridge | 650 V | 225 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | MÍRALO | G3F40MT12K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 39 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | ||
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GeneSiC Semiconductor | Transistor de SiC G2R300MT65-CAx | MÍRALO | G2R300MT65-CAx | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |||||
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GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | MÍRALO | G3F17MT12FB2 | On Order | -- | -- | -- | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ||||
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Mitsubishi | 1200V FMF600DXE-24BN | MÍRALO | FMF600DXE-24BN | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | 2in1 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Skm200gb12f4 medio puente | MÍRALO | SKM200GB12F4 | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | Half Bridge | 1200 V | 200 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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ABB | IGBT IGB | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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Mitsubishi | Nuevos módulos duales Mega Power - IGBT | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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SEMIKRON | Módulos MOSFET | MÍRALO | -- | On Order | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3r60mt07k mosfet sic | MÍRALO | G3R60MT07K | On Order | TO-247-4 | -- | -- | -- | 48 A | -- | -- | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | -- | -- | -- | -- | -- |
Transistores de un proveedor confiable
Dacpol es un proveedor experimentado de los artículos necesarios en la categoría de transistores. Nuestros clientes pueden confiar en la calidad de los productos y servicios que ofrecemos, ya sea que compren módulos MOSFET, diodos de corriente continua o componentes semiconductores de carburo de silicio.
Estamos preparados para suministrar grandes cantidades del producto que busca ya sea que solicite transistores individuales o los compre al por mayor, ofrecemos una entrega integral de todos los productos.
Debido a la máxima calidad del servicio, ofrecemos a nuestros clientes únicamente productos de proveedores y fabricantes comprobados. Nuestro equipo de ingenieros está disponible en cada etapa para brindar sus conocimientos y asesoramiento, con el fin de proporcionar información sobre el mantenimiento y uso de los productos adquiridos.
La oferta de Dacpol en la categoría de componentes electrónicos, alimentación y conectores es mucho más amplia e incluye diversos artículos eléctricos e industriales en la categoría de transistores. En nuestro sitio web puede familiarizarse con la oferta completa de productos de esta categoría.
Transistores de efecto campo (FET) de DACPOL
Ofrecemos dos tipos de transistores de efecto campo: transistores MOS-FET e IGBT.
Transistores MOS-FET
Los transistores MOS-FET funcionan bien en conexiones paralelas. Pueden conectarse en paralelo hasta varias docenas. Son fáciles de controlar y no requieren corrección en la distribución de la corriente de carga entre ellos.
Están disponibles en rangos de corriente desde 1,1 A hasta 250 A y tensiones desde 12 V hasta 900 V. Los transistores MOS-FET se fabrican en los siguientes tipos de encapsulados: SO8, SOT223, D-Pak, D2-Pak, I-Pak, TO-262, TO-220, TO-247, SOT-227, HEXDIP.
Transistores IGBT
Los transistores IGBT se caracterizan por una baja caída de tensión en conducción (de 2,15 a 5,2 V) con grandes corrientes (10 a 3600 A), capacidad de bloqueo de altos voltajes (250 a 6500 V), control de voltaje mediante puerta aislada y gran velocidad de conmutación. Se fabrican en forma de módulos estándar, módulos de alta frecuencia, módulos de alto voltaje y módulos inteligentes de alto voltaje. Además, ofrecemos módulos de diodos de alto voltaje para trabajar con transistores IGBT.
Alta calidad de los productos ofrecidos
Están disponibles en encapsulados electroaislados como transistores individuales, módulos de dos transistores (medio puente), módulos de seis elementos (puente completo), módulos de siete elementos (puente completo con transistor). Los encapsulados típicos son: TO220, TO247, A1, NF1, NF2, NF3, NF4, NF5, NF6, U2, U3, U4, U5, U6, U7, U8, A1, A2, A3, A4, A5, H1, H2, H3, H4, H5, H6, H7, H8, H9, H10, H11, H12, H13, DM1, DM2, HV1, HV2, HV3, HV4, HV5, HV6, HV7, HV8, SD1, SD2, SD3, SD4.
Los transistores IGBT fabricados en forma de módulos inteligentes incluyen, además de los transistores, circuitos para su control y protección contra cortocircuitos y sobretensiones.
¡Consulte también nuestros productos en la categoría de puentes rectificadores!
¿Qué son los transistores y cuáles son sus tipos básicos?
Los transistores son componentes electrónicos semiconductores de tres electrodos cuya función principal es amplificar la señal aumentando su amplitud. Además, pueden controlar el flujo de corriente en circuitos eléctricos —funcionan como interruptores. Están fabricados con materiales semiconductores como el silicio o el germanio. El primer transistor fue construido en 1948 por J. Bardeen y W.H. Brattain. Sus creadores junto con W.B. Shockley —el creador del modelo bipolar— recibieron el Premio Nobel en 1956 por este invento.
Los componentes electrónicos semiconductores de tres electrodos se dividen en dos tipos principales. El primero son los transistores de efecto campo, también llamados unipolares, que son controlados por voltaje. Están formados por una puerta que, al aplicarle un voltaje, genera un campo electromagnético que cambia la resistencia entre el drenaje y la fuente, que es la salida de la señal.
El transistor bipolar, también llamado de unión, es el segundo tipo. Está formado por base, emisor y colector. Se controla mediante la corriente que fluye entre el emisor y la base. Los transistores bipolares también se dividen en modelos n-p-n y p-n-p.
¿Qué caracteriza al transistor de efecto campo y dónde se usa más comúnmente?
El transistor MOS-FET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor), clasificado como transistor de efecto campo, tiene cuatro terminales y se caracteriza por su alta resistencia de salida y muy rápido tiempo de conmutación. Por eso se usa principalmente en:
- fuentes de alimentación conmutadas, donde permiten una gestión eficaz y eficiente de la red,
- cargadores para vehículos eléctricos e híbridos,
- fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS),
- accionamientos de motores utilizados en la automoción y la industria,
- amplificadores en sistemas de audio o telecomunicaciones,
- circuitos integrados, especialmente basados en tecnología CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), que es usada en la mayoría de los microprocesadores actuales.
Además, cabe señalar que los transistores de efecto campo pueden utilizarse tanto en circuitos integrados analógicos como digitales.
¿Qué son los transistores IGBT y para qué se utilizan?
El transistor IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada), clasificado entre los dispositivos de puerta aislada, combina características de los modelos bipolares y MOS-FET. Por ello se caracteriza por su facilidad de control y conmutación rápida. El transistor IGBT está diseñado para manejar cargas de alta potencia, incluso de cientos de kW. También tiene capacidad para bloquear altos voltajes de hasta 6 kV. Al mismo tiempo, su uso garantiza bajas pérdidas de potencia. Por eso este tipo de transistor se puede utilizar, entre otros, en:
- inversores que convierten corriente continua en corriente alterna para sistemas energéticos,
- cocinas y cargadores de inducción,
- fuentes de alimentación de emergencia,
- fuentes de alimentación conmutadas,
- sistemas de accionamiento usados en la industria, como motores eléctricos.
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