Transistores | GeneSiC

Los MOSFET SiC de GeneSiC ofrecen un excelente rendimiento de conducción y conmutación en comparación con el silicio (Si) debido a sus características de "banda prohibida ancha" y alta intensidad de campo eléctrico.

La tecnología patentada

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RDS(ON) para VGS = 18 V
RDS(ON) para VGS = 15 V
-- Transistores SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor Transistores SIC MOSFET MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- --
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F45MT06D On Order TO-247-3 650 V 52 A 37 A 45 mΩ -
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F45MT06K On Order TO-247-4 650 V 52 A 37 A 45 mΩ -
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F60MT06J On Order TO-263-7 650 V 46 A 32 A 60 mΩ
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F60MT06D On Order TO-247-3 650 V 42 A 30 A 60 mΩ
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F60MT06K On Order TO-247-4 650 V 42 A 30 A 60 mΩ
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC MÍRALO G3R12MT12K On Order TO-247-4 1200 V 155 A 110 A 12 mΩ
picture_as_pdf G3r60mt07j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07j mosfet sic MÍRALO G3R60MT07J On Order TO-263-7 750 V 44 A 31 A - 60 mΩ
picture_as_pdf G3r60mt07k mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07k mosfet sic MÍRALO G3R60MT07K On Order TO-247-4 750 V 48 A 34 A - 60 mΩ
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F45MT06J On Order TO-263-7 650 V 57 A 42 A 45 mΩ -
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F33MT06K On Order TO-247-4 650 V 70 A 50 A 33 mΩ -
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F40MT12J On Order TO-263-7 1200 V 68 A 48 A 40 mΩ -
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F40MT12K On Order TO-247-4 1200 V 61 A 43 A 40 mΩ -
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F75MT12J On Order TO-263-7 1200 V 39 A 28 A 75 mΩ -
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F75MT12K On Order TO-247-4 1200 V 35 A 25 A 75 mΩ -
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F25MT06K On Order TO-263-7 650 V 90 A 64 A 25 mΩ -
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F25MT06J On Order TO-247-4 650 V 100 A 70 A 25 mΩ -
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F33MT06J On Order TO-263-7 650 V 55 A 33 mΩ -
picture_as_pdf G3r160mt17d mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r160mt17d mosfet sic MÍRALO G3R160MT17D 600 TO-247-3 1700 V - - 160 mΩ
picture_as_pdf G3r60mt07d mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07d mosfet sic MÍRALO G3R60MT07D On Order TO-247-3 750 V 43 A 30 A - 60 mΩ
picture_as_pdf G3r40mt12j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r40mt12j mosfet sic MÍRALO G3R40MT12J On Order TO-263-7 1200 V 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ
picture_as_pdf G3r20mt2k mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r20mt2k mosfet sic MÍRALO G3R20MT12K On Order TO-247-4 1200 V 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ
picture_as_pdf G3r160mt17j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r160mt17j mosfet sic MÍRALO G3R160MT17J On Order TO-263-7 1700 V 18 A 13 A - 160 mΩ
picture_as_pdf G3r75mt2k mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r75mt2k mosfet sic MÍRALO G3R75MT12K 590 TO-247-4 1200 V 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ
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Los MOSFET SiC de GeneSiC ofrecen un excelente rendimiento de conducción y conmutación en comparación con el silicio (Si) debido a sus características de "banda prohibida ancha" y alta intensidad de campo eléctrico.

La tecnología patentada Trench-Assisted Planar de GeneSiC ofrece el RDS(ON) más bajo a altas temperaturas y las menores pérdidas de energía a altas velocidades. Esto permite alcanzar niveles de rendimiento, robustez y calidad sin precedentes, líderes en la industria.

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