Transistores | GeneSiC

Los MOSFET SiC de GeneSiC ofrecen un excelente rendimiento de conducción y conmutación en comparación con el silicio (Si) debido a sus características de "banda prohibida ancha" y alta intensidad de campo eléctrico.

La tecnología patentada

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picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F135MT12J MÍRALO G3F135MT12J On Order TO-263-7 18 A 13 A -- -- 1200 V --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K MÍRALO G3F20MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J MÍRALO G3F20MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K MÍRALO G3F60MT06K On Order TO-247-4 42 A 30 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J MÍRALO G3F60MT06J On Order TO-263-7 44 A 31 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D MÍRALO G3F60MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J MÍRALO G3F45MT06J On Order TO-263-7 39 A -- -- 650 V
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D MÍRALO G3F45MT06D On Order TO-247-3 -- -- -- -- 650 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K MÍRALO G3F33MT06K On Order TO-247-4 53 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J MÍRALO G3F33MT06J On Order TO-263-7 -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06K MÍRALO G3F25MT06K On Order TO-247-4 100 A 71 A -- -- 650 V
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06J MÍRALO G3F25MT06J On Order TO-263-7 77 A -- -- 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC MÍRALO G3R12MT12K On Order TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J MÍRALO G3F40MT12J On Order TO-263-7 42 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K MÍRALO G3F40MT12K On Order TO-247-4 39 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J MÍRALO G3F75MT12J On Order TO-263-7 31 A 22 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F65MT12K MÍRALO G3F65MT12K On Order TO-247-4 35 A 25 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F65MT12J MÍRALO G3F65MT12J On Order TO-263-7 37 A 26 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F34MT12K MÍRALO G3F34MT12K On Order TO-247-4 63 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F34MT12J MÍRALO G3F34MT12J On Order TO-263-7 68 A 48 A -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F25MT12J MÍRALO G3F25MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
-- Transistor SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F25MT12K MÍRALO G3F25MT12K On Order TO-247-4 -- -- -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F18MT12J MÍRALO G3F18MT12J On Order TO-263-7 -- -- 1200 V --
picture_as_pdf Transistor SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Transistor SiC Mosfet G3F60MT06L MÍRALO G3F60MT06L On Order 48 A 34 A -- -- 650 V
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Los MOSFET SiC de GeneSiC ofrecen un excelente rendimiento de conducción y conmutación en comparación con el silicio (Si) debido a sus características de "banda prohibida ancha" y alta intensidad de campo eléctrico.

La tecnología patentada Trench-Assisted Planar de GeneSiC ofrece el RDS(ON) más bajo a altas temperaturas y las menores pérdidas de energía a altas velocidades. Esto permite alcanzar niveles de rendimiento, robustez y calidad sin precedentes, líderes en la industria.

Le invitamos a explorar la gama más amplia de MOSFET SiC de 650 V a 6,5 kV.