Transistores | GeneSiC

Los MOSFET SiC de GeneSiC ofrecen un excelente rendimiento de conducción y conmutación en comparación con el silicio (Si) debido a sus características de "banda prohibida ancha" y alta intensidad de campo eléctrico.

La tecnología patentada

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-- Transistores SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor Transistores SIC MOSFET MÍRALO -- On Order -- -- -- -- -- --
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F45MT06D On Order TO-247-3 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F45MT06K On Order TO-247-4 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F60MT06J On Order TO-263-7 46 A 32 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F60MT06D On Order TO-247-3 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F60MT06K On Order TO-247-4 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC MÍRALO G3R12MT12K On Order TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3r60mt07j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07j mosfet sic MÍRALO G3R60MT07J On Order TO-263-7 44 A 31 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3r60mt07k mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07k mosfet sic MÍRALO G3R60MT07K On Order TO-247-4 48 A 34 A - 60 mΩ 750 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F45MT06J On Order TO-263-7 57 A 42 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F33MT06K On Order TO-247-4 70 A 50 A 33 mΩ - 650 V
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F40MT12J On Order TO-263-7 68 A 48 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F40MT12K On Order TO-247-4 61 A 43 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F75MT12J On Order TO-263-7 39 A 28 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F75MT12K On Order TO-247-4 35 A 25 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F25MT06K On Order TO-263-7 90 A 64 A 25 mΩ - 650 V
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F25MT06J On Order TO-247-4 100 A 70 A 25 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET MÍRALO G3F33MT06J On Order TO-263-7 55 A 33 mΩ - 650 V
picture_as_pdf G3r160mt17d mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r160mt17d mosfet sic MÍRALO G3R160MT17D On Order TO-247-3 - - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3r60mt07d mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r60mt07d mosfet sic MÍRALO G3R60MT07D On Order TO-247-3 43 A 30 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3r40mt12j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r40mt12j mosfet sic MÍRALO G3R40MT12J On Order TO-263-7 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3r20mt2k mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r20mt2k mosfet sic MÍRALO G3R20MT12K On Order TO-247-4 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3r160mt17j mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r160mt17j mosfet sic MÍRALO G3R160MT17J On Order TO-263-7 18 A 13 A - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3r75mt2k mosfet sic GeneSiC Semiconductor G3r75mt2k mosfet sic MÍRALO G3R75MT12K 590 TO-247-4 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ 1200 V
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Los MOSFET SiC de GeneSiC ofrecen un excelente rendimiento de conducción y conmutación en comparación con el silicio (Si) debido a sus características de "banda prohibida ancha" y alta intensidad de campo eléctrico.

La tecnología patentada Trench-Assisted Planar de GeneSiC ofrece el RDS(ON) más bajo a altas temperaturas y las menores pérdidas de energía a altas velocidades. Esto permite alcanzar niveles de rendimiento, robustez y calidad sin precedentes, líderes en la industria.

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