Navitas Semiconductor, leader des technologies GaN et SiC, a présenté ses nouveaux modules de puissance SiCPAK™ 1200V avec isolation époxy, offrant une résistance thermique cinq fois supérieure aux solutions classiques. Grâce à sa technologie exclusive GeneSiC™ SiC MOSFET, ces modules garantissent une perte d’énergie réduite, une fiabilité accrue et une résistance aux conditions extrêmes. Ils sont conçus pour les chargeurs EV, les entraînements industriels, les systèmes UPS et les installations photovoltaïques. Navitas, pionnier des semi-conducteurs de nouvelle génération, propose également la première garantie de 20 ans au monde sur les composants GaNFast™.
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