Navitas lance les nouveaux modules de puissance SiCPAK™ – un nouveau standard de fiabilité et de performance à haute température

Navitas lance ses nouveaux modules de puissance SiCPAK™ – la nouvelle norme de fiabilité et de performance à haute température

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), leader dans l'industrie des semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC), a annoncé le lancement de ses nouveaux modules de puissance SiCPAK™. Ces modules se distinguent par l'utilisation d'une technologie innovante de moulage à la résine époxy, qui améliore considérablement la fiabilité et la stabilité de fonctionnement dans des conditions thermiques extrêmes.

Technologie révolutionnaire de résine époxy – augmentation cinq fois inférieure de la résistance thermique

Les nouveaux modules SiCPAK™ 1200V ont été conçus pour des applications haute puissance dans des conditions environnementales extrêmes. Grâce à la technologie innovante de résine époxy, ces modules offrent une augmentation cinq fois inférieure de la résistance thermique après 1000 cycles de tests de choc thermique (-40°C à +125°C), comparé aux modules traditionnels à gel de silicone.

Tous les modules en silicone ont échoué aux tests d'isolation, tandis que les panneaux SiCPAK™ avec résine époxy ont maintenu des niveaux d'isolation sûrs, ce qui se traduit par une durée de vie plus longue des systèmes et une sécurité accrue.

Technologie MOSFET moderne – pertes de puissance réduites, fiabilité accrue

La série de modules SiCPAK™ utilise la technologie propre « trench-assisted planar SiC MOSFET » de GeneSiC™, qui offre :

• Des pertes de puissance réduites de 20%,
• Un échauffement réduit, ce qui contribue à une durée de vie plus longue des composants,
• Une stabilité exceptionnelle des paramètres à haute température.

Dans la pratique, cela signifie une augmentation plus faible de la résistance RDS(ON)</strong) à mesure que la température augmente, permettant ainsi un fonctionnement plus efficace et économe en énergie des dispositifs sur une large plage de températures.

De plus, tous les tranzistors SiC MOSFET de GeneSiC™ offrent :

• Le plus haut niveau de résistance testé au passage d’avalanche,
• Une résistance jusqu'à 30% meilleure aux courts-circuits,
• Une tolérance stricte de la tension de seuil – facilitant leur connexion parallèle.

Applications et configurations des modules SiCPAK™

Les nouveaux modules sont destinés à un large éventail d'applications :

• Chargeurs rapides DC pour véhicules électriques (EV DCFC),
• Entraînements industriels de moteurs,
• Alimentations sans coupure (UPS),
• Inverseurs et optimiseurs de puissance pour installations photovoltaïques,
• Systèmes de stockage d'énergie (ESS),
• Soudeuses industrielles et appareils de chauffage inductifs.

Configurations disponibles : demi-pont, pont complet, 3L-T-NPC, avec des valeurs de résistance allant de 4,6 mΩ à 18,5 mΩ. Tous les modules sont équipés de thermistances NTC intégrées et sont compatibles avec les normes de broches populaires press-fit. Il existe également une option pour l'application en usine de matériaux thermoconducteurs (TIM), ce qui facilite l'assemblage.

À propos de Navitas

Navitas Semiconductor est la seule entreprise au monde spécialisée exclusivement dans les semi-conducteurs de nouvelle génération, fondée en 2014. Les solutions GaNFast™ et GeneSiC™ permettent une charge plus rapide, une densité de puissance plus élevée et des économies d'énergie significatives. Les domaines d'application incluent les centres de données AI, la mobilité électrique, les énergies renouvelables, le stockage d'énergie, les appareils ménagers et industriels, ainsi que l'électronique grand public.

Navitas détient plus de 300 brevets et propose la première garantie de 20 ans sur les puces GaNFast™ au monde. L'entreprise est également le premier fabricant de semi-conducteurs certifié CarbonNeutral®.

Découvrez notre offre :

• Diodes GeneSiC
• Transistors GeneSiC