Modules IGBT | INFINEON (EUPEC)

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well...

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Field-effect transistors -...

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picture_as_pdf Les modules standards IGBT Infineon Les modules standards IGBT VOIR -- En commande -- -- -- --
picture_as_pdf modules IGBT à haute puissance Infineon modules IGBT à haute puissance VOIR -- En commande -- -- -- --
picture_as_pdf Le module de puissance intégré PIM Infineon Le module de puissance intégré PIM VOIR -- En commande -- -- -- --
picture_as_pdf La série PIM FACILE IGBTs Infineon La série PIM FACILE IGBTs VOIR -- En commande -- -- -- --
picture_as_pdf Série de modules IGBT Econopack + Infineon Série de modules IGBT Econopack + VOIR -- En commande -- -- -- --
picture_as_pdf FS25R12YT3 IGBT module Infineon Module IGBT FS25R12YT3 VOIR FS25R12YT3 6 -- -- 1200 V 25 A
picture_as_pdf FZ800R12KS4 IGBT module Infineon FZ800R12KS4 Module IGBT VOIR FZ800R12KS4 En commande -- -- 1200 V 800 A
picture_as_pdf FP40R12KT3 IGBT module Infineon Module IGBT FP40R12KT3 VOIR FP40R12KT3 En commande -- -- 1200 V 40 A
picture_as_pdf Module IGBT FF150R2KE3G IGBT Infineon Module IGBT FF150R2KE3G IGBT VOIR FF150R12KE3G En commande -- -- 1200 V 150 A
picture_as_pdf FF200R33KF2C IGBT module Infineon Module IGBT FF200R33KF2C VOIR FF200R33KF2C En commande -- -- 3300 V 200 A
picture_as_pdf FF200R12KS4 IGBT module Infineon FF200R12KS4 Module IGBT VOIR FF200R12KS4 En commande -- -- 1200 V 200 A
picture_as_pdf BSM35GP120G IGBT module Infineon BSM35GP120G Module IGBT VOIR BSM35GP120G 1 IS12 -- 1200 V 75 A
picture_as_pdf BSM50GP120 IGBT module Infineon BSM50GP120 Module IGBT VOIR BSM50GP120 En commande IS13 -- 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM50GD120DN2 IGBT module Infineon BSM50GD120DN2 Module IGBT VOIR BSM50GD120DN2 En commande IS3 mostek 3-fazowy 1200 V 50 A
picture_as_pdf BSM75GD120DLC Moduł IGBT Infineon Module IGBT BSM75GD120DLC VOIR BSM75GD120DLC En commande IS8 mostek 3-fazowy 1200 V 75 A
picture_as_pdf FS300R12KE3 Moduł IGBT Infineon FS300R12KE3 Module IGBT VOIR FS300R12KE3 En commande IS14 -- 1200 V 300 A
picture_as_pdf FF450R17IE4 IGBT Infineon FF450R17IE4 IGBT VOIR FF450R17IE4 En commande -- -- 1700 V 450 A
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.