Modules de transistors | MITSUBISHI

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

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-- Modules de transistor Mitsubishi Modules de transistor VOIR -- En commande -- --
-- QM100DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM100DY-2H VOIR QM100DY-2H 3 1000 V 100 A
-- QM30DY-H Transistor bipolar Mitsubishi Transistor bipolaire qm30dy-h VOIR QM30DY-H En commande 600 V 30 A
-- QM75HA-H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM75HA-H VOIR QM75HA-H 3 600 V 75 A
-- QM200DY-H Moduł Bipolarny Mitsubishi Module bipolaire QM200DY-H VOIR QM200DY-H 2 600 V 200 A
-- QM400HA-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor Bipolaire QM400HA-2H VOIR QM400HA-2H 1 1000 V 400 A
-- QM50DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM50DY-2H VOIR QM50DY-2H En commande 1000 V 50 A
-- QM75DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM75Y-2H VOIR QM75DY-2H En commande 1000 V 75 A
-- QM300HA-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor Bipolaire QM300HA-2H VOIR QM300HA-2H En commande 1000 V 300 A
-- QM20TD-H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM20TD-H VOIR QM20TD-H 14 600 V 20 A
-- QM150HY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM150HY-2H VOIR QM150HY-2H 1 1000 V 15 A
-- QM150DY-2H Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor Bipolaire QM150DY-2H VOIR QM150DY-2H En commande 1000 V 150 A
-- QM600HA-24 Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi TRANSISTOR BIPOLAIRE QM600HA-24 VOIR QM600HA-24 1 1200 V 60 A
-- QM10HA-HB Tranzystor BIPOLARNY Mitsubishi Transistor bipolaire QM10HA-HB VOIR QM10HA-HB 1 600 V 10:00 AM
-- QM75DY-H Transistor bipolar Mitsubishi Transistor bipolaire QM77Y-H VOIR QM75DY-H En commande 600 V 75 A
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.