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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in...

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Fabricant
descasc
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Type de logement
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Courant continu I D à Tc = 25 o C
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-- Modules MOSFET STARPOWER SIC MOSFET Starpower Modules MOSFET STARPOWER SIC MOSFET VOIR -- En commande -- -- -- -- --
picture_as_pdf MO25CLR120D6S MOSFET SIC Starpower MO25CLR120D6S MOSFET SIC VOIR MD25CLR120D6S En commande D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MO25CUR120D6S MOSFET SIC Starpower MO25CUR120D6S MOSFET SIC VOIR MD25CUR120D6S En commande D6.0 -- chopper 100 mΩ 25 A
picture_as_pdf MD50CUR120D6S MOSFET SIC Starpower MD50CUR120D6S MOSFET SIC VOIR MD50CUR120D6S En commande D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD50FFR120C5S MOSFET SIC Starpower MD50FFR120C5S MOSFET SIC VOIR MD50FFR120C5S En commande C5.0 73 A mostek trójfazowy 37.5 mΩ 50 A
picture_as_pdf MD350HFR120B3S MOSFET SIC Starpower MD350HFR120B3S MOSFET SIC VOIR MD350HFR120B3S En commande B3.0 473 A półmostek 5.2 mΩ 350 A
picture_as_pdf MD300HFR120B3S MOSFET SIC Starpower MD300HFR120B3S MOSFET SIC VOIR MD300HFR120B3S En commande B3.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD300HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD300HFR120C2S MOSFET SIC VOIR MD300HFR120C2S En commande C2.0 381 A półmostek 6.5 mΩ 300 A
picture_as_pdf MD400HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD400HFR120C2S MOSFET SIC VOIR MD400HFR120C2S 1 C2.0 542 A półmostek 4.4 mΩ 400 A
picture_as_pdf MD200HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD200HFR120C2S MOSFET SIC VOIR MD200HFR120C2S En commande C2.0 299 A półmostek 8.7 mΩ 200 A
picture_as_pdf MD120HFR120C2S MOSFET SIC Starpower MD120HFR120C2S MOSFET SIC VOIR MD120HFR120C2S En commande C2.0 200 A półmostek 13 mΩ 120 A
picture_as_pdf MD250HFR170C2S MOSFET SIC Starpower MD250HFR170C2S MOSFET SIC VOIR MD250HFR170C2S En commande C2.0 340 A półmostek 10,4 mΩ 250 A
picture_as_pdf MD50CLR120D6S MOSFET SIC Starpower MD50CLR120D6S MOSFET SIC VOIR MD50CLR120D6S En commande D6.0 -- chopper 50 mΩ 50 A
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We’re an experienced supplier of necessary products for the category of transistors. 

Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

MOS-FET transistors
MOS-FET transistors cooperate well in parallel connections. They can be combined in parallel up to several dozen pieces. They are easily controlled and do not require adjustment in the load current distribution between them.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.