Transistors | GeneSiC

Les MOSFET SiC de GeneSiC offrent d'excellentes performances de conduction et de commutation par rapport au silicium (Si) grâce à leurs caractéristiques de «large bande interdite» et à leur haute intensité de champ électrique.

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Les MOSFET SiC de GeneSiC offrent d'excellentes performances de conduction et de commutation par rapport au...

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Courant continu I D à Tc = 25 o C
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descasc
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descasc
Courant continu I D à Tc = 25 o C
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RDS(ON) pour VGS = 18 V
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Tension UDS
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-- Transistors SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor Transistors SIC MOSFET VOIR -- En commande -- -- -- -- -- --
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F45MT06D En commande TO-247-3 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F45MT06K En commande TO-247-4 52 A 37 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F60MT06J En commande TO-263-7 46 A 32 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F60MT06D En commande TO-247-3 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F60MT06K En commande TO-247-4 42 A 30 A 60 mΩ 650 V
picture_as_pdf G3R12MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K MOSFET SiC VOIR G3R12MT12K En commande TO-247-4 155 A 110 A 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R60MT07J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J MOSFET SIC VOIR G3R60MT07J En commande TO-263-7 44 A 31 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3R60MT07K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K MOSFET SIC VOIR G3R60MT07K En commande TO-247-4 48 A 34 A - 60 mΩ 750 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F45MT06J En commande TO-263-7 57 A 42 A 45 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F33MT06K En commande TO-247-4 70 A 50 A 33 mΩ - 650 V
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F40MT12J En commande TO-263-7 68 A 48 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F40MT12K En commande TO-247-4 61 A 43 A 40 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F75MT12J En commande TO-263-7 39 A 28 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F75MT12K En commande TO-247-4 35 A 25 A 75 mΩ - 1200 V
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F25MT06K En commande TO-263-7 90 A 64 A 25 mΩ - 650 V
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F25MT06J En commande TO-247-4 100 A 70 A 25 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET VOIR G3F33MT06J En commande TO-263-7 55 A 33 mΩ - 650 V
picture_as_pdf G3R160MT17D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D MOSFET SIC VOIR G3R160MT17D En commande TO-247-3 - - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3R60MT07D MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D MOSFET SIC VOIR G3R60MT07D En commande TO-247-3 43 A 30 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf G3R40MT12J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J MOSFET SIC VOIR G3R40MT12J En commande TO-263-7 66 A 47 A 34 mΩ 40 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R20MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R20MT2K MOSFET SIC VOIR G3R20MT12K En commande TO-247-4 100 A 71 A 17 mΩ 20 mΩ 1200 V
picture_as_pdf G3R160MT17J MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J MOSFET SIC VOIR G3R160MT17J En commande TO-263-7 18 A 13 A - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf G3R75MT12K MOSFET SiC GeneSiC Semiconductor G3R75MT2K MOSFET SIC VOIR G3R75MT12K 590 TO-247-4 36 A 26 A 64 mΩ 75 mΩ 1200 V
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Les MOSFET SiC de GeneSiC offrent d'excellentes performances de conduction et de commutation par rapport au silicium (Si) grâce à leurs caractéristiques de «large bande interdite» et à leur haute intensité de champ électrique.

La technologie Trench-Assisted Planar brevetée par GeneSiC offre la plus faible résistance RDS(ON) à haute température et les pertes d'énergie les plus faibles à grande vitesse. Cela permet d'atteindre des niveaux de performance, de robustesse et de qualité inégalés et leaders dans l'industrie.

Nous vous invitons à découvrir la gamme la plus large de MOSFET SiC de 650 V à 6,5 kV.