Les photos sont à titre informatif uniquement. Voir les spécifications du produit

please use latin characters

G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET

  • G3F33MT06J
  • Type de logement TO-263-7
  • Courant continu I D à Tc = 25 o C
  • Continous currentID at Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) pour VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) pour VGS = 15 V -
  • Tension UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding

Envoyez une demande

Êtes-vous intéressé par ce produit? Avez-vous besoin d'informations supplémentaires ou d'une tarification individuelle?

Nous contacter
DEMANDEZ LE PRODUIT close
Message envoyé avec succès.
DEMANDEZ LE PRODUIT close
Feuilleter

Ajouter à la liste de souhaits

Vous devez être connecté

  • Type de logement TO-263-7
  • Courant continu I D à Tc = 25 o C
  • Continous currentID at Tc=100oC 55 A
  • RDS(ON) pour VGS = 18 V 33 mΩ
  • RDS(ON) pour VGS = 15 V -
  • Tension UDS 650 V

The "G3F33MT06J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding