G3R60MT07J MOSFET SiC
  • G3R60MT07J MOSFET SiC

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor

G3R60MT07J MOSFET SIC

  • G3R60MT07J
  • Type de logement TO-263-7
  • Courant continu I D à Tc = 25 o C 44 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 31 A
  • RDS(ON) pour VGS = 18 V -
  • RDS(ON) pour VGS = 15 V 60 mΩ
  • Tension UDS 750 V

The "G3R60MT07J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
  • Motor Drives
  • High Voltage DC-DC Converters
  • Switched Mode Power Supplies
  • UPS
  • Smart Grid Transmission and Distribution
  • Induction Heating and Welding
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  • Type de logement TO-263-7
  • Courant continu I D à Tc = 25 o C 44 A
  • Continous currentID at Tc=100oC 31 A
  • RDS(ON) pour VGS = 18 V -
  • RDS(ON) pour VGS = 15 V 60 mΩ
  • Tension UDS 750 V

The "G3R60MT07J" SiC MOSFET transistor is made using GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology.

Features:

  • Low Temperature Coefficient of RDS(ON)
  • Lower QG and Smaller RG(INT)
  • Low Device Capacitances (COSS, CRSS)
  • LoRing – Electromagnetically Optimazed Design
  • Robust Body Diode with Low VF and Low QRR
  • 100% Avalanche (UIL) Tested

Applications:

  • Solar Inverters
  • EV/HEV Charging
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