A Navitas bemutatja legújabb SiCPAK™ teljesítménymoduljait – az új megbízhatósági és teljesítmény-szabvány magas hőmérsékleten

A Navitas bemutatja legújabb SiCPAK™ teljesítménymoduljait – az új megbízhatósági és teljesítménybeli mércét magas hőmérsékleten

A Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), a gallium-nitrid (GaN) és szilícium-karbid (SiC) félvezető iparág vezetője bejelentette legújabb SiCPAK™ teljesítménymoduljainak piacra dobását. Ezek a modulok a modern epoxigyanta öntési technológia alkalmazásával tűnnek ki, amely jelentősen növeli a megbízhatóságot és a stabilitást extrém hőmérsékleti körülmények között.

Forradalmi epoxigyanta technológia – ötször kisebb hőellenállás növekedés

Az új SiCPAK™ 1200V modulokat nagy teljesítményű alkalmazásokhoz tervezték, extrém környezeti feltételek között. Az innovatív epoxigyanta technológia alkalmazásának köszönhetően ezek a modulok ötször kisebb hőellenállás növekedést mutatnak 1000 ciklusos hő sokk teszt után (-40°C és +125°C között), szemben a hagyományos szilikongéllel készült modulokkal.

Míg az összes szilikon modul megbukott az izolációs teszteken, addig az epoxigyantával töltött SiCPAK™ panelek megtartották a biztonságos izolációs szintet, ami hosszabb élettartamot és nagyobb biztonságot biztosít a rendszerek számára.

Modern MOSFET technológia – kisebb teljesítményveszteség, nagyobb megbízhatóság

Az SiCPAK™ sorozatú modulok a GeneSiC™ által kifejlesztett saját „trench-assisted planar SiC MOSFET” technológiát alkalmazzák, amely a következő előnyöket kínálja:

• Akár 20%-kal kisebb teljesítményveszteség,
• Kevesebb felmelegedés, ami hosszabb élettartamot eredményez a komponensek számára,
• Kivételes stabilitás magas hőmérsékleteken.

Ez a gyakorlatban azt jelenti, hogy kisebb RDS(ON) ellenállás növekedés figyelhető meg a hőmérséklet emelkedésével, ami lehetővé teszi az eszközök hatékonyabb és energiahatékonyabb működését széles hőmérsékleti tartományban.

Ezenkívül az összes SiC MOSFET tranzisztor GeneSiC™ kínálja a következőket:

• A legmagasabb tesztelt ellenállás az áramütéses áttöréssel szemben,
• Akár 30%-kal jobb ellenállás a rövidzárlatokkal szemben,
• A feszültségküszöb szigorú toleranciája – ami megkönnyíti a párhuzamos csatlakoztatást.

SiCPAK™ modulok alkalmazásai és konfigurációi

Az új modulok széles alkalmazási köröket céloznak meg:

• Gyors DC töltők elektromos járművekhez (EV DCFC),
• Ipari motor meghajtók,
• UPS tápegységek,
• Inverterek és teljesítményoptimalizálók fotovoltaikus rendszerekhez,
• Energiatároló rendszerek (ESS),
• Ipari hegesztők és induktív fűtőberendezések.

A rendelkezésre álló konfigurációk: félsor, teljes sor, 3L-T-NPC, 4,6 mΩ és 18,5 mΩ közötti ellenállás-tartományokkal. Minden modul NTC termisztorokat tartalmaz, és kompatibilis a népszerű press-fit csatlakozókabátokkal. Elérhető egy gyári hővezető anyag (TIM) alkalmazásának lehetősége is, amely megkönnyíti a beszerelést.

A Navitas cégről

A Navitas Semiconductor a világ egyetlen olyan vállalata, amely kizárólag új generációs félvezetőkre specializálódott, és 2014-ben alakult. A GaNFast™ és GeneSiC™ megoldások gyorsabb töltést, nagyobb teljesítményű sűrűséget és jelentős energia-megtakarítást tesznek lehetővé. Alkalmazási területek közé tartoznak az AI adatközpontok, elektromobilitás, megújuló energiaforrások, energiatárolás, háztartási és ipari készülékek, valamint a fogyasztói elektronika.

A Navitas több mint 300 szabadalommal rendelkezik, és az első olyan vállalat, amely 20 éves garanciát kínál a GaNFast™ chipekre. A cég emellett az első félvezető gyártó, amely CarbonNeutral® tanúsítvánnyal rendelkezik.

Tekintse meg kínálatunkat:

• GeneSiC dióda
• GeneSiC tranzisztorok