Mitsubishi Electric wprowadza Moduły IGBT 2,0kV serii T do użytku przemysłowego

Mitsubishi Electric Corporation ogłasza wypuszczenie na rynek serii T 2,0 kV modułów tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) przeznaczonych do zastosowań przemysłowych. Moduły zwiększą sprawność i gęstość mocy zasilaczy odnawialnych źródeł energii DC1500V.

Moduły IGBT 2,0kV serii T są to pierwsze na świecie tranzystory IGBT[1] o napięciu maksymalnym 2,0 kV. Moduł jest specjalnie dobrany pod zwiększanie sprawności i zmniejszenie rozmiarów konwerterów wysokiej mocy odnawialnych źródeł energii, na które popyt stale wzrasta dzięki coraz powszechniejszemu użyciu odnawialnych źródeł energii.

Zalety Modułu IGBT 2,0kV serii T:

Pierwszy na świecie moduł IGBT o napięciu maksymalnym 2,0 kV idealnie nadaje się w zastosowaniach do bardziej kompaktowych przekształtników mocy o napięciu DC1500V

• Pierwszy na świecie tranzystor IGBT 2,0 kV jest świetnie dopasowany do przekształtników wysokiej mocy o napięciu DC1500V, które są znacznie trudniejsze do zaprojektowania przy użyciu konwencjonalnych tranzystorów IGBT 1,7 kV
• Umożliwia rozwój prostszych i mniejszych przekształtników  DC1500V bez potrzeby stosowania skomplikowanych topologii takich jak trójpoziomowy przekształtnik NPC (połączenie typu I)[2].

7 generacja IGBT i diod RFC pomaga zredukować straty mocy w przekształtnikach wysokich mocy

• Dopasowane do wysokiego napięcia i zastosowań z koniecznymi niższymi stratami mocy tranzystory IGBT siódmej generacji z strukturą CSTBT^{TM [3]} oraz wysokonapięciowe diody RFC[4] (Relax Field of Cathode).

Półprzewodniki wysokich mocy nastawione na efektywne sterowanie mocą elektryczną przyciągają coraz większe zainteresowanie i znajdują wiele zastosowań jako urządzenia kluczowe do obniżenia globalnego śladu węglowego. Jednocześnie sieci energetyczne korzystające z odnawialnych źródeł energii są niezbędne do uzyskania coraz wyższych sprawności konwersji mocy poprzez stosowanie coraz wyższych poziomów napięć. W tym celu wprowadzone zostały przekształtniki mocy o napięciu DC1500V stanowiącym górny limit określony w Dyrektywie niskonapięciowej LVD[5]. W odpowiedzi na dyrektywę Mitsubishi Electric wkrótce wypuści  tranzystory 2,0kV IGBT serii T dostosowane do przekształtników wysokiej mocy DC1500V, co pozwoli na uproszczenie konstrukcji, ograniczenie rozmiarów i podniesienie sprawności.

Specyfikacja produktu

Obecnie dostępne tranzystory IGBT 7-generacji można znaleźć na stronie w kategorii Półprzewodniki >> 7 generacja modułów IGBT