Diody firmy GeneSiC

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą od polaryzacji napięcia doprowadzonego pomiędzy anodę i katodę.

W ofercie posiadamy:

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Tokozás típusa
more... less
IFAV
more... less
Napięcie URRM
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Tokozás típusa
Napięcie URRM
-- Diody firmy GeneSiC GeneSiC Semiconductor Diody firmy GeneSiC ZOBACZ -- -- -- --
picture_as_pdf Dioda SiC GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD05MPS17J ZOBACZ GD05MPS17J TO-263-7 5:00 AM 1700 V
-- Dioda SiC GD2X10MPS12D GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD2X10MPS12D ZOBACZ GD2X10MPS12D -- -- --
-- Dioda SiC GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD2X30MPS12D ZOBACZ GD2X30MPS12D -- -- --
-- Dioda SiC GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD30MPS12H ZOBACZ GD30MPS12H -- -- --
picture_as_pdf Dioda SiC GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD2X20MPS12D ZOBACZ GD2X20MPS12D TO-247-3 40 A 1200 V
picture_as_pdf Dioda SiC GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD20MPS12H ZOBACZ GD20MPS12H 20 A 1200 V
picture_as_pdf Dioda SiC GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD20MPS12A ZOBACZ GD20MPS12A 20 A 1200 V
-- Dioda SiC GE12MPS06Q GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GE12MPS06Q ZOBACZ GE12MPS06Q 0:00 AM 650 V
picture_as_pdf GD10MPS12A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A Dioda SiC ZOBACZ GD10MPS12A -- -- --
-- Dioda SiC GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD60MPS17H ZOBACZ GD60MPS17H -- -- --
picture_as_pdf Dioda SiC GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD2X25MPS17N ZOBACZ GD2X25MPS17N SOT-227 50 A 1700 V
-- Dioda SiC GC05MPS17J GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GC05MPS17J ZOBACZ GC05MPS17J TO-263-7 5:00 AM 1700 V
-- Dioda SiC GE10MPS06Q GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GE10MPS06Q ZOBACZ GE10MPS06Q 10:00 AM 650 V
-- Dioda SiC GE08MPS06Q GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GE08MPS06Q ZOBACZ GE08MPS06Q 8:00 AM 650 V
-- Dioda SiC GE06MPS06Q GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GE06MPS06Q ZOBACZ GE06MPS06Q 6:00 AM 650 V
-- Dioda SiC GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GE04MPS06Q ZOBACZ GE04MPS06Q 4:00 AM 650 V
picture_as_pdf Dioda SiC GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD2X150MPS06N ZOBACZ GD2X150MPS06N SOT-227 650 V
picture_as_pdf Dioda SiC GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD2X60MPS06N ZOBACZ GD2X60MPS06N SOT-227 650 V
-- Dioda SiC GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GD60MPS06H ZOBACZ GD60MPS06H -- -- --
-- Dioda SiC GE12MPS06A GeneSiC Semiconductor Dioda SiC GE12MPS06A ZOBACZ GE12MPS06A -- -- --
picture_as_pdf GE06MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E Dioda SiC ZOBACZ GE06MPS06E -- -- --
picture_as_pdf GE04MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A Dioda SiC ZOBACZ GE04MPS06A -- -- --
picture_as_pdf GE04MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E Dioda SiC ZOBACZ GE04MPS06E -- -- --
Eredmények oldalanként:

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą od polaryzacji napięcia doprowadzonego pomiędzy anodę i katodę.

W ofercie posiadamy: diody prostownicze, diody szybkie, diody ultraszybkie, diody Schottky’ego, diody lawinowe, diody przeciwprzepięciowe, diody wysokonapięciowe.

Profesjonalne diody SIC

Diody SIC stosowane w układach energoelektronicznych wymagają zabezpieczenia przed skutkami zwarć i przepięć.

Do ochrony zwarciowej diod należy stosować tylko i wyłącznie bezpieczniki szybkie. Są to specjalnie opracowane bezpieczniki o wartościach prądów dostosowanych do wielkości prądowej diod i przepalające się w bardzo krótkim czasie po wystąpieniu zwarcia. Do ochrony diod przed przepięciami komutacyjnymi należy stosować tłumiki przepięć RC. Parametry elementów tłumika przepięć są tak dobrane, aby występujące na diodzie przepięcie zostało ograniczone do wartości dla niej bezpiecznej.