Diody firmy GeneSiC

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą od polaryzacji napięcia doprowadzonego pomiędzy anodę i katodę.

W ofercie posiadamy:

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Napięcie URRM
more... less
IFAV
more... less
Typ obudowy
more... less
In stock
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Napięcie URRM
Typ obudowy
picture_as_pdf GA01PNS150-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220 Dioda SiC ZOBACZ GA01PNS150-220 15000 V 1:00 AM TO-220
picture_as_pdf GA01PNS150-201 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201 Dioda SiC ZOBACZ GA01PNS150-201 15000 V 1:00 AM DO-201
picture_as_pdf GB2X50MPS12-227 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS12-227 Dioda SiC ZOBACZ GB2X50MPS12-227 1200 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GC2X10MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC2X10MPS12-247 1200 V 20 A TO-247-3
picture_as_pdf GC2X20MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC2X20MPS12-247 1200 V 40 A TO-247-3
picture_as_pdf GB20SLT12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 Dioda SiC ZOBACZ GB20SLT12-247 1200 V 20 A TO-247-2
picture_as_pdf GB25MPS17-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 Dioda SiC ZOBACZ GB25MPS17-247 1700 V 25 A TO-247-2
picture_as_pdf GB2X100MPS12-227 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 Dioda SiC ZOBACZ GB2X100MPS12-227 1200 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GC2X50MPS06-227 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227 Dioda SiC ZOBACZ GC2X50MPS06-227 650 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GC2X15MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC2X15MPS12-247 1200 V 30 A TO-247-3
picture_as_pdf GC2X100MPS06-227 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227 Dioda SiC ZOBACZ GC2X100MPS06-227 650 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GC20MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC20MPS12-247 1200 V 20 A TO-247-2
picture_as_pdf GC20MPS12-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 Dioda SiC ZOBACZ GC20MPS12-220 1200 V 20 A TO-220-2
picture_as_pdf GC15MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC15MPS12-247 1200 V 15 A TO-247-2
picture_as_pdf GC15MPS12-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220 Dioda SiC ZOBACZ GC15MPS12-220 1200 V 15 A TO-220-2
picture_as_pdf GC10MPS12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 Dioda SiC ZOBACZ GC10MPS12-252 1200 V 10:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC10MPS12-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 Dioda SiC ZOBACZ GC10MPS12-220 1200 V 10:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GC08MPS12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 Dioda SiC ZOBACZ GC08MPS12-252 1200 V 8:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC08MPS12-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 Dioda SiC ZOBACZ GC08MPS12-220 1200 V 8:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GC05MPS12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252 Dioda SiC ZOBACZ GC05MPS12-252 1200 V 5:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC02MPS12-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220 Dioda SiC ZOBACZ GC02MPS12-220 1200 V 2:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GB50SLT12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247 Dioda SiC ZOBACZ GB50SLT12-247 1200 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GB50MPS17-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247 Dioda SiC ZOBACZ GB50MPS17-247 1700 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GA01PNS80-220 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220 Dioda SiC ZOBACZ GA01PNS80-220 8000 V 1:00 AM TO-220
Eredmények oldalanként:

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą od polaryzacji napięcia doprowadzonego pomiędzy anodę i katodę.

W ofercie posiadamy: diody prostownicze, diody szybkie, diody ultraszybkie, diody Schottky’ego, diody lawinowe, diody przeciwprzepięciowe, diody wysokonapięciowe.

Profesjonalne diody SIC

Diody SIC stosowane w układach energoelektronicznych wymagają zabezpieczenia przed skutkami zwarć i przepięć.

Do ochrony zwarciowej diod należy stosować tylko i wyłącznie bezpieczniki szybkie. Są to specjalnie opracowane bezpieczniki o wartościach prądów dostosowanych do wielkości prądowej diod i przepalające się w bardzo krótkim czasie po wystąpieniu zwarcia. Do ochrony diod przed przepięciami komutacyjnymi należy stosować tłumiki przepięć RC. Parametry elementów tłumika przepięć są tak dobrane, aby występujące na diodzie przepięcie zostało ograniczone do wartości dla niej bezpiecznej.