Diody firmy GeneSiC

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą od polaryzacji napięcia doprowadzonego pomiędzy anodę i katodę.

W ofercie posiadamy:

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą...

Olvass tovább
Szűrők megjelenítése
Szűrők elrejtéseSzűrésSzűrők megjelenítése X
Manufacturers
more... less
Napięcie URRM
more... less
IFAV
more... less
Typ obudowy
more... less
In stock
more... less
Filter
Információ close
PDF Kép
Gyártó
Termék név
Termék megtekintése Gyártói szám
Elérhető mennyiség
Napięcie URRM
Typ obudowy
picture_as_pdf GD2X100MPS12N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N Dioda SiC ZOBACZ GD2X100MPS12N 1 1200 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GD2X50MPS12N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N Dioda SiC ZOBACZ GD2X50MPS12N 1200 V 100 A SOT-227
picture_as_pdf GD50MPS12H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H Dioda SiC ZOBACZ GD50MPS12H 1 1200 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GD30MPS12J Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J Dioda SiC ZOBACZ GD30MPS12J 1 1200 V 30 A TO-263-7
picture_as_pdf GD10MPS12H Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H Dioda SiC ZOBACZ GD10MPS12H 1 1200 V 10:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GD10MPS12E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E Dioda SiC ZOBACZ GD10MPS12E 1 1200 V 10:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GD2X100MPS06N Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N Dioda SiC ZOBACZ GD2X100MPS06N 1 650 V 200 A SOT-227
picture_as_pdf GD2X30MPS06D Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D Dioda SiC ZOBACZ GD2X30MPS06D 1 650 V 60 A TO-247-3
picture_as_pdf GD30MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A Dioda SiC ZOBACZ GD30MPS06A 1 650 V 30 A TO-220-2
picture_as_pdf GE04MPS06A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A Dioda SiC ZOBACZ GE04MPS06A 1 650 V 4:00 AM TO-220-2
picture_as_pdf GE04MPS06E Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E Dioda SiC ZOBACZ GE04MPS06E 1 650 V 4:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GC50MPS06-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 Dioda SiC ZOBACZ GC50MPS06-247 650 V 50 A TO-247-2
picture_as_pdf GC2X8MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC2X8MPS12-247 1200 V 16 A TO-247-3
picture_as_pdf GC2X5MPS12-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 Dioda SiC ZOBACZ GC2X5MPS12-247 1200 V 10:00 AM TO-247-3
picture_as_pdf GB10MPS17-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 Dioda SiC ZOBACZ GB10MPS17-247 1700 V 10:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GB05MPS33-263 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB05MPS33-263 Dioda SiC ZOBACZ GB05MPS33-263 3300 V 5:00 AM TO-263-7
picture_as_pdf GB05MPS17-263 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 Dioda SiC ZOBACZ GB05MPS17-263 1700 V 5:00 AM TO-263-7
picture_as_pdf GB05MPS17-247 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247 Dioda SiC ZOBACZ GB05MPS17-247 1700 V 5:00 AM TO-247-2
picture_as_pdf GB02SLT12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 Dioda SiC ZOBACZ GB02SLT12-252 1200 V 2:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GB02SLT12-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 Dioda SiC ZOBACZ GB02SLT12-214 1200 V 2:00 AM DO-214
picture_as_pdf GB01SLT12-252 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 Dioda SiC ZOBACZ GB01SLT12-252 1200 V 1:00 AM TO-252-2
picture_as_pdf GB01SLT12-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214 Dioda SiC ZOBACZ GB01SLT12-214 1200 V 1:00 AM DO-214
picture_as_pdf GB01SLT06-214 Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 Dioda SiC ZOBACZ GB01SLT06-214 650 V 1:00 AM DO-214
picture_as_pdf GAP3SLT33-220FP Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP Dioda SiC ZOBACZ GAP3SLT33-220FP 3300 V 0,3 A TO-220-FP
Eredmények oldalanként:

Dioda SIC jest niesterowanym przyrządem półprzewodnikowym, w którym stan przewodzenia lub zaworowy zależą od polaryzacji napięcia doprowadzonego pomiędzy anodę i katodę.

W ofercie posiadamy: diody prostownicze, diody szybkie, diody ultraszybkie, diody Schottky’ego, diody lawinowe, diody przeciwprzepięciowe, diody wysokonapięciowe.

Profesjonalne diody SIC

Diody SIC stosowane w układach energoelektronicznych wymagają zabezpieczenia przed skutkami zwarć i przepięć.

Do ochrony zwarciowej diod należy stosować tylko i wyłącznie bezpieczniki szybkie. Są to specjalnie opracowane bezpieczniki o wartościach prądów dostosowanych do wielkości prądowej diod i przepalające się w bardzo krótkim czasie po wystąpieniu zwarcia. Do ochrony diod przed przepięciami komutacyjnymi należy stosować tłumiki przepięć RC. Parametry elementów tłumika przepięć są tak dobrane, aby występujące na diodzie przepięcie zostało ograniczone do wartości dla niej bezpiecznej.