5 generacja modułów ipm -seria FULL GATE CSTBT (WERSJA L1 i S1 )

Nowe moduły IPM - serii L1. Charakteryzują się one dużą szybkością oraz małymi stratami mocy. Moduły nowej serii występują w tych samych obudowach, w których są produkowane moduły serii L. Dodatkowo wprowadzono nową, mniejszą obudowę - L5. Dzięki zastosowaniu struktury full gate CSTBT (rys.2a) uzyskano znaczącą poprawę statycznych strat mocy przez obniżenie napięcia przewodzenia (o około 15%), a jednocześnie zoptymalizowano moduł na wyższą częstotliwość pracy (fc) uzyskując kompromis pomiędzy napięciem przewodzenia UCE(sat), a stratami energii przy wyłączeniu ESW(of).

Seria L1 została zaprojektowana dla zoptymalizowania strat przyłączeniowych, oraz statycznych - przy zachowaniu niskich zakłóceń elektromagnetycznych - na częstotliwość pracy (fc). Moduły nowej serii posiadają także o wiele większą odporność na cykle temperaturowe. Przez zastosowanie wyszukanego, przemyślanego i zintegrowanego sposobu ochrony tranzystorów - moduły serii L1, oraz serii L cechuje bardzo dobre samozabezpieczenie. Każda struktura tranzystora posiada zabezpieczenie temperaturowe, zwarciowe oraz podnapięciowe (na obniżenie sięnapięcia zasilającego). Dokładne i niezawodne zabezpieczenie uzyskano przez umieszczenie w każdej strukturze czujnika temperaturowego, oraz czujnika prądowego - rys.3.

Dane elektryczne

Obudowa L1	Obudowa L2
Obudowa L3	Obudowa L5
Obudowa S1