6 generacja modułów IGBT -seria NX

Dane techniczne

• 6 Generacja IGBT z chipami wykonanymi w technologii CSTBT
• Moduły 1200V: V_ce(sat)=1,7V @ T_j=125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu V_cc=900V
• Moduły 1700V: _Vce(sat)=2,2V @ T_j=125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu V_cc=1200V
• Wytrzymałość zwarciowa dłuższa niż 10μs oraz doskonałe właściwości podczas pracy równoległej
• Zintegrowana dioda zwrotna 6 Generacji z dodatnim współczynnikiem temperaturowym oraz optymalizowaną zależnością pomiędzy V_F a E_SW(rec)
• T_j(max)=175°C
• Duża elastyczność dzięki zastosowaniu jednej, wspólnej podstawy zarówno dla pojedynczych modułów i półmostków jak i konfiguracji pełnego falownika z tranzystorem hamującym oraz pełnego falownika z tranzystorem hamującym oraz prostownikiem.
• Duża różnorodność złączy pinowych oraz śrubowych
• Kompletny typoszereg modułów dla 1200V oraz 1700V
• Certyfikat UL
• Całkowita zgodność z RoHS

Aplikacje

• Napędy ogólnego przeznaczenia
• Przekształtniki pracujące w układach z ogniwami fotowoltaicznymi
• Systemy zasilania awaryjnego UPS

Obudowa NX1	Obudowa NX2
Obudowa NX3	Obudowa NX4

Symbol	Schemat elektryczny
D
M
R
T